您这连漏电流和通态电流都分不清就别查论文了…我也说了开关损耗确实是sic小了啊

PS：我就是做大功率电力电子博士毕业的，所以您也不用跟我较劲了……现在电力电子里面搞sic就是政治正确，sic其实是处于“在一些工况中具有一定优势的状态”，只要改改系统条件（比如频率拉低一点，工作电流大一点）就能写一篇结论刚好相反的论文你信不信…只不过那种“大逆不道”的论文不好发表罢了

【 在 withu 的大作中提到: 】
: https://www.ixueshu.com/document/e9d0c5b740fa83066e27217b29ebf1b3318947a18e7f9386.html
: https://www.ixueshu.com/document/c7c50ff0aa56f70bc359f28640d167f0318947a18e7f9386.html
: IGBT漏电流同样温度是 SiC的 两个数量级，
: ...................
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