对于车企来说，采用IGBT/SiC器件的控制器/逆变器（图1）是Tier1层级的零部件（这是汽车产业领域的“模组”概念）；
IGBT/SiC器件是Tier2层级的零部件，
IGBT/SiC器件包括两种类型：单管（图2）、模块（这是芯片产业领域的“模块”概念，图3）。

在“IGBT/SiC器件”这一个层级，又可以从半导体/芯片产业的角度将产业链继续往下细分，包括晶锭、衬底、外延、晶圆（这是半导体产业领域的“芯片”概念）、器件几个主要环节。

以“SiC器件”为例，
在Tier1的“SiC控制器/逆变器模组”层级，BYD目前具备“模组”的设计、工艺研发、量产制造能力；
在Tier2的“SiC器件”层级，BYD目前具备“器件”的设计、工艺研发、量产制造能力；

从半导体/芯片产业的角度，将“SiC器件”的产业链继续往下细分，
BYD目前具备“SiC晶圆”的设计、工艺研发能力，SiC晶圆生产线正在建设中，尚未完工投产；“外延”环节参与投资上游其它公司，“衬底”环节暂未参与。

图4是BYD设计、制造的IGBT晶圆，图5是BYD设计的SiC晶圆（尚未大批量产）。
【 在 Icanread 的大作中提到: 】
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: 所以你意思是比亚迪能在sic外延片上做芯片，然后做模组
:
: 但是不能生产sic外延片？
: 【 在 MichaelB 的大作中提到: 】
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站在汽车主机厂（汽车产业）的角度，BYD已经实现Tier1层级的“SiC控制器/逆变器模组”全部自研自产，Tier2层级的“SiC器件”全部自研自产；

站在半导体企业（芯片产业）的角度，BYD目前正在建设的SiC晶圆生产线，即使全部投产后的产能仍然不能满足旗下车型的销量增长（不仅是汉车型，BYD的预期目标是在新车型中逐渐全覆盖SiC器件）。
不仅是SiC晶圆生产线追赶不上增长的整车销量，正在扩建的IGBT晶圆生产线同样追赶不上增长的整车销量，所以在一段时间内，都会存在从外部采购晶圆补充缺口的情况。

【 在 Icanread 的大作中提到: 】
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: 谢谢！所以现在汉用的sic量那么大，还是得等新厂投产才能全自产吧？
: 【 在 FHWYSH 的大作中提到: 】
: : 这一段描述已经比较严谨地界定了指代范围，目前BYD的多处IGBT晶圆生产线正在扩建，SiC晶圆生产线正在扩建，上市募资的第一个项目也会补充一小部分晶圆生产线的建设资金。但是这一点上市募资的金额，只在晶圆生产线建设的总投资中占极少比例，绝大部分投资金额都来自于BYD自行筹集。
: :
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所有的半导体芯片（晶圆），其中的电路图都需要采用光刻机写入。

Si基IGBT晶圆、SiC晶圆都是属于半导体芯片范畴，所以它们同样需要光刻机，只不过SiC晶圆是属于最新的第三代半导体材料。

图1、图2是已经用光刻机写入电路图之后的SiC晶圆。
【 在 wangsxy 的大作中提到: 】
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: 也是用光刻机烧出来的？
:
: 【 在 Icanread (昵称) 的大作中提到: 】
: : 比亚迪有半导体子公司，旗下有芯片设计和芯片厂，
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