【 以下文字转载自 METech 讨论区 】
发信人: cbzcbz999 (xdfae), 信区: METech
标 题: 坂本幸雄:中国大陆半导体水平落后台湾一大截
发信站: 水木社区 (Tue May 31 17:27:52 2022), 站内
宣告破产的紫光集团前高级副总裁、前日本尔必达社长坂本幸雄接受访问时说,中国大陆半导体产业的实力不管在研发、生产和产品良率方面落后台湾、韩国和美国一大截。
据日经新闻报道,坂本指出,中国大陆占世界半导体生产的比重为15%,但其中英特尔等外资企业占60%,中企的比重仅40%,大陆半导体产业当前的要务是研发,但肩负半导体产业发展者主要是出自台湾,多为成品良率改善等工序管理方面的人才,在从零开始创造价值的研发方面缺乏经验。
坂本说,大陆半导体实力与世界顶尖水平的差距很大,在DRAM领域处于中国顶尖水平的长鑫存储,与三星电子相比落后4代左右;而在NAND快闪记忆体领域,大陆据称顶尖的长江存储在去年8月启动128层3D NAND的量产,虽已启动192层的试产,但生产的数量过少,达不到讨论竞争力的水平。
坂本介绍,在运算用逻辑晶片领域,即使是顶尖的中芯国际,最好的产品也只是14奈米,这已是七、八年前的技术,而台积电正在开发2纳米的产品,中芯国际以工序管理的工程师为中心,或许难以推进新技术的开发,加上美国的制裁,更难以引进尖端的半导体生产设备,无法跨入价值巨大的处理器领域,经营资源完全被用在增加14奈米以上的产能,如果缺乏在三、四年后追上台积电的雄心,差距会不断扩大。
另据BusinessKorea报导,韩国进出口银行旗下海外经济研究院(OERI)预估,中国大陆在DRAM和NAND快闪记忆体方面与韩国的技术落差分别达五年和两年。
大陆半导体业的产品良率也很低。 OERI分析指出,长鑫存储2019年开始量产第一代10奈米DRAM,但两年多过去,良率仍只有75%;第二代DRAM的良率更只有40%。
【 在 RaorOfPanda 的大作中提到: 】
:
: 对,就你可明白了
: 你明白的那些玩意几乎没有一个不是造谣!
: ...................
--
FROM 42.84.230.*