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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Sun Sep 19 22:24:11 2004) 提到:
发信人: gilberte (~Green_Bean~), 信区: NanoST
标 题: 纳米颗粒在吸附特性上与平面有什么区别？
发信站: BBS 水木清华站 (Sun Sep 19 22:22:19 2004), 转信
在对蛋白质的吸附特性上，纳米颗粒和微米颗粒和无限大平面有什么区别？
谢谢。
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Mon Sep 20 10:58:53 2004) 提到:
那位大侠给点建议吧。
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 发信人: gilberte (~Green_Bean~), 信区: NanoST
: 标 题: 纳米颗粒在吸附特性上与平面有什么区别？
: ...................
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Tue Sep 21 09:08:37 2004) 提到:
有人给指点一下吧？
谢谢啦。
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 那位大侠给点建议吧。
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o0oo (甜菜DD) 于 (Tue Sep 21 09:57:32 2004) 提到:
比表面大 表面能大
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 有人给指点一下吧？
: 谢谢啦。
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Tue Sep 21 10:23:17 2004) 提到:
如果纳米颗粒、微米颗粒、以及平板在吸附实验中的表面积一样呢？
【 在 o0oo (甜菜DD) 的大作中提到: 】
: 比表面大 表面能大
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o0oo (甜菜DD) 于 (Tue Sep 21 10:31:58 2004) 提到:
在纳米颗粒表面 可能会发生化学吸附
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 如果纳米颗粒、微米颗粒、以及平板在吸附实验中的表面积一样呢？
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Tue Sep 21 10:39:22 2004) 提到:
为啥呢？
化学吸附不是跟表面的化学键以及吸附对象的化学性质有关么？
【 在 o0oo (甜菜DD) 的大作中提到: 】
: 在纳米颗粒表面 可能会发生化学吸附
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xilidge (你的唯一) 于 (Tue Sep 21 12:51:09 2004) 提到:
纳米颗粒表面有很多悬空键，化学活性很强，比如纳米TiO2光催化就是应用这个原理
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 为啥呢？
: 化学吸附不是跟表面的化学键以及吸附对象的化学性质有关么？
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Tue Sep 21 13:28:55 2004) 提到:
还是不是很清楚啊，这里所说的悬空键和尺度有关么？
如果相同表面积下，纳米颗粒表面的悬空键一定比微米颗粒下的多是么？
什么原理呢？
谢谢。
【 在 xilidge (你的唯一) 的大作中提到: 】
: 纳米颗粒表面有很多悬空键，化学活性很强，比如纳米TiO2光催化就是应用这个原理
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lihuoming (李子树下好乘凉) 于 (Tue Sep 21 18:10:01 2004) 提到:
纳米微粒的粒径小，比表面积大，表面原子数增多，表面原子配位不饱和，
所以导致大量的悬键和不饱和键。
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 还是不是很清楚啊，这里所说的悬空键和尺度有关么？
: 如果相同表面积下，纳米颗粒表面的悬空键一定比微米颗粒下的多是么？
: 什么原理呢？
: ...................
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Tue Sep 21 18:54:29 2004) 提到:
两个问题啊：
1. 所说的悬键和不饱和键与表面的曲率有关么？为什么？
2. 对于二氧化硅这种纳米颗粒，他的表面的悬键与不饱和键是什么？
非常感谢。
【 在 lihuoming (李子树下好乘凉) 的大作中提到: 】
: 纳米微粒的粒径小，比表面积大，表面原子数增多，表面原子配位不饱和，
: 所以导致大量的悬键和不饱和键。
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lihuoming (李子树下好乘凉) 于 (Tue Sep 21 19:28:27 2004) 提到:
其实我认为悬键和不饱和键都是同一个概念，只是书上用了两个词表达而已。
它们都是因为原子的配位不饱和造成的。另外一个说法是悬键是由纳米材料中
存在空位，空位团及孔洞等造成的，这些其实都是 原子的配位不饱和。
空位和空位团等和表面曲率没有什么关系，只和粒径有关。
比如在二氧化硅中，悬键即不饱和键就可以是表面的硅原子缺氧，于是就造成了
带有正电荷，也就具有了较大的介电常数。
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 两个问题啊：
: 1. 所说的悬键和不饱和键与表面的曲率有关么？为什么？
: 2. 对于二氧化硅这种纳米颗粒，他的表面的悬键与不饱和键是什么？
: ...................
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thigh (麦高) 于 (Tue Sep 21 19:31:17 2004) 提到:
。。。表面曲率绝对有关系，所以表面缺陷催化作用什么的才存在啊
你把颗粒太理论化了
【 在 lihuoming (李子树下好乘凉) 的大作中提到: 】
: 标 题: Re: 纳米颗粒在吸附特性上与平面有什么区别？ (转载)
: 发信站: BBS 水木清华站 (Tue Sep 21 19:28:27 2004), 站内
:
: 其实我认为悬键和不饱和键都是同一个概念，只是书上用了两个词表达而已。
: 它们都是因为原子的配位不饱和造成的。另外一个说法是悬键是由纳米材料中
: 存在空位，空位团及孔洞等造成的，这些其实都是 原子的配位不饱和。
: 空位和空位团等和表面曲率没有什么关系，只和粒径有关。
: 比如在二氧化硅中，悬键即不饱和键就可以是表面的硅原子缺氧，于是就造成了
: 带有正电荷，也就具有了较大的介电常数。
:
: 【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: : 两个问题啊：
: : 1. 所说的悬键和不饱和键与表面的曲率有关么？为什么？
: : 2. 对于二氧化硅这种纳米颗粒，他的表面的悬键与不饱和键是什么？
: : ...................
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: ※ 来源:·BBS 水木清华站 smth.org·[FROM: 210.32.0.*]
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Tue Sep 21 19:32:05 2004) 提到:
粒径不是和表面曲率相关么？
另外，悬键能不能通过XPS检测出来有没有和有多少？
还是对于二氧化硅来讲，是要看Si的谱线还是氧的谱线？
非常感谢。
【 在 lihuoming (李子树下好乘凉) 的大作中提到: 】
: 其实我认为悬键和不饱和键都是同一个概念，只是书上用了两个词表达而已。
: 它们都是因为原子的配位不饱和造成的。另外一个说法是悬键是由纳米材料中
: 存在空位，空位团及孔洞等造成的，这些其实都是 原子的配位不饱和。
: ...................
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Tue Sep 21 19:32:47 2004) 提到:
大侠简单评述一下表面缺陷催化吧，不懂：（
【 在 thigh (麦高) 的大作中提到: 】
: 。。。表面曲率绝对有关系，所以表面缺陷催化作用什么的才存在啊
: 你把颗粒太理论化了
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thigh (麦高) 于 (Tue Sep 21 19:34:57 2004) 提到:
从物理的角度上说，表面能就是跟曲率相关啊，俺说的没错吧
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 标 题: Re: 纳米颗粒在吸附特性上与平面有什么区别？ (转载)
: 发信站: BBS 水木清华站 (Tue Sep 21 19:32:47 2004), 站内
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: 大侠简单评述一下表面缺陷催化吧，不懂：（
:
: 【 在 thigh (麦高) 的大作中提到: 】
: : 。。。表面曲率绝对有关系，所以表面缺陷催化作用什么的才存在啊
: : 你把颗粒太理论化了
:
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: ※ 来源:·BBS 水木清华站 smth.org·[FROM: 166.111.36.12]
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lihuoming (李子树下好乘凉) 于 (Tue Sep 21 19:51:09 2004) 提到:
等等，我现在有个概念自己都搞不清楚了。是不是一个圆球半径越小，那么它的表面
曲率就越小啊？
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
粒径不是和表面曲率相关么？
另外，悬键能不能通过XPS检测出来有没有和有多少？
还是对于二氧化硅来讲，是要看Si的谱线还是氧的谱线？
非常感谢。
【 在 lihuoming (李子树下好乘凉) 的大作中提到: 】
: 其实我认为悬键和不饱和键都是同一个概念，只是书上用了两个词表达而已。
: 它们都是因为原子的配位不饱和造成的。另外一个说法是悬键是由纳米材料中
: 存在空位，空位团及孔洞等造成的，这些其实都是 原子的配位不饱和。
: ...................
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thigh (麦高) 于 (Tue Sep 21 19:54:07 2004) 提到:
恰恰相反，如果俺的记忆没出错
【 在 lihuoming (李子树下好乘凉) 的大作中提到: 】
: 标 题: Re: 纳米颗粒在吸附特性上与平面有什么区别？ (转载)
: 发信站: BBS 水木清华站 (Tue Sep 21 19:51:09 2004), 站内
:
: 等等，我现在有个概念自己都搞不清楚了。是不是一个圆球半径越小，那么它的表面
: 曲率就越小啊？
:
: 【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 粒径不是和表面曲率相关么？
:
: 另外，悬键能不能通过XPS检测出来有没有和有多少？
: 还是对于二氧化硅来讲，是要看Si的谱线还是氧的谱线？
:
: 非常感谢。
:
: 【 在 lihuoming (李子树下好乘凉) 的大作中提到: 】
: : 其实我认为悬键和不饱和键都是同一个概念，只是书上用了两个词表达而已。
: : 它们都是因为原子的配位不饱和造成的。另外一个说法是悬键是由纳米材料中
: : 存在空位，空位团及孔洞等造成的，这些其实都是 原子的配位不饱和。
: : ...................
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: ※ 来源:·BBS 水木清华站 smth.org·[FROM: 210.32.0.*]
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Tue Sep 21 19:59:13 2004) 提到:
嗯，如果我 没有记错的话。
【 在 thigh (麦高) 的大作中提到: 】
: 恰恰相反，如果俺的记忆没出错
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lihuoming (李子树下好乘凉) 于 (Tue Sep 21 20:03:07 2004) 提到:
测悬键的方法有很多种，比如核磁共振，拉曼光谱，电子自旋共振，你所说的
XPS应该也可以，由于悬键的存在，表面的硅和内部的硅具有不同的氧化数，能够
在XPS上面显示出不同的峰。
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 粒径不是和表面曲率相关么？
: 另外，悬键能不能通过XPS检测出来有没有和有多少？
: 还是对于二氧化硅来讲，是要看Si的谱线还是氧的谱线？
: ...................
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Tue Sep 21 20:06:35 2004) 提到:
我做了XPS，两种硅纳米颗粒，都是买来的纯的硅纳米颗粒，自然氧化的。
一种在Si2p处有比较明显的峰，另一个没有，但是在靠近Si本征峰处有一
个非常弱的小峰；
能说明前者的氧化程度比后者高么？
这两者那个悬键多呢？
【 在 lihuoming (李子树下好乘凉) 的大作中提到: 】
: 测悬键的方法有很多种，比如核磁共振，拉曼光谱，电子自旋共振，你所说的
: XPS应该也可以，由于悬键的存在，表面的硅和内部的硅具有不同的氧化数，能够
: 在XPS上面显示出不同的峰。
: ...................
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lihuoming (李子树下好乘凉) 于 (Tue Sep 21 20:14:18 2004) 提到:
我对XPS不是很懂，从基本的概念来说，如果有氧化峰的出现，说明存在氧化数，
如果纳米二氧化硅经过高温的通氧气，氧气就能弥补空位团，增加氧化数，
也就是说，氧化数越高，含有的悬键应该越少。不过就算有悬键，也应该还是
有氧化峰出现啊。
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 我做了XPS，两种硅纳米颗粒，都是买来的纯的硅纳米颗粒，自然氧化的。
: 一种在Si2p处有比较明显的峰，另一个没有，但是在靠近Si本征峰处有一
: 个非常弱的小峰；
: ...................
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Tue Sep 21 20:20:42 2004) 提到:
我的是纯硅纳米颗粒，不是二氧化硅的，但是由于盖子已经打开了，
纳米颗粒会被慢慢的氧化，从你给的这个论断是不是可以说，有Si2p峰
那个纳米颗粒已经部分氧化，同时应该悬键比较多，毕竟不是完全的
二氧化硅。
而没有Si2p的那个硅纳米颗粒还没有被氧化，那么他表面还有悬键么？
【 在 lihuoming (李子树下好乘凉) 的大作中提到: 】
: 我对XPS不是很懂，从基本的概念来说，如果有氧化峰的出现，说明存在氧化数，
: 如果纳米二氧化硅经过高温的通氧气，氧气就能弥补空位团，增加氧化数，
: 也就是说，氧化数越高，含有的悬键应该越少。不过就算有悬键，也应该还是
: ...................
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lihuoming (李子树下好乘凉) 于 (Tue Sep 21 20:28:08 2004) 提到:
不好意思，没看清。 /
对于单质硅而言，悬键一般是 Si－Si－Si
/
Si
你这样通过XPS测的话，只能说明Si是否被氧化吧，而不能说明哪个悬键多，那个少。
不过纳米二氧化硅却能通过这种方法比较，比如说峰高发生变化啊。
【 在 gilberte (~Green_Bean~) 的大作中提到: 】
: 我的是纯硅纳米颗粒，不是二氧化硅的，但是由于盖子已经打开了，
: 纳米颗粒会被慢慢的氧化，从你给的这个论断是不是可以说，有Si2p峰
: 那个纳米颗粒已经部分氧化，同时应该悬键比较多，毕竟不是完全的
: ...................
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gilberte (~Green_Bean~) 于 (Tue Sep 21 20:32:47 2004) 提到:
明白，非常感谢：P
一并感谢麦高，从你们这里学到了很多。
【 在 lihuoming (李子树下好乘凉) 的大作中提到: 】
: 不好意思，没看清。
: 对于单质硅而言，悬键一般是 Si－Si－Si
: /
: ...................
FROM 210.32.0.*