- 主题:[求助]MOS管发烫
mos管没加驱动电路吧
【 在 kilby 的大作中提到: 】
: 2只NCE2003构成的桥式驱动电路，持续电流200mA左右，单个MOS管上D和S电压约1V。
: 测量得温度在50°C以上，正常吗？
: 由于这两颗器件温度高，导致整个电路板（直径40mm）温度在40多度。有什么降温的建议？
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FROM 124.64.17.*
设计电路的时候，要参考datasheet里面SOA部分，以决定mosfet的工作条件。
一般情况下，可这样排查发热问题
1. mos要快开快关，才能减少开关损耗，即发热。受mos米勒电容等影响，需要提供足够的栅极驱动能力，电容嘛，足够的驱动电流才能快速充电，打开mos管，关闭同样，要快速放电。本质上mos开关过程中是穿越线性去的，会发热，快速开关，即快速穿越线性区，损耗就会小。
2.mos打开后，要提供足够的Vgs电压，从datasheet中可以了解到，导通电阻RdsON跟Vgs正比，Vgs不够，RdsON大，导通损耗就会大。
3.设计mos的选型，要根据datasheet的SOA确定mos是否符合所需的工作条件。譬如1ms脉冲下，能提供的好散功率，超了SOA，秒烧。
4.散热，mos工作时，特别是开关时会产生大量的热量，要提供足够的散热设施，了解mos哪个方向热阻小，设计合适的散热设施。
【 在 kilby (剑客) 的大作中提到: 】
: 2只NCE2003构成的桥式驱动电路，持续电流200mA左右，单个MOS管上D和S电压约1V。
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: 测量得温度在50°C以上，正常吗？
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FROM 111.193.167.*
靠谱
【 在 Dever 的大作中提到: 】
设计电路的时候，要参考datasheet里面SOA部分，以决定mosfet的工作条件。
一般情况下，可这样排查发热问题
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FROM 123.139.94.*
靠谱这是真正的经验总结
【 在 Dever 的大作中提到: 】
: 设计电路的时候，要参考datasheet里面SOA部分，以决定mosfet的工作条件。
: 一般情况下，可这样排查发热问题
: 1. mos要快开快关，才能减少开关损耗，即发热。受mos米勒电容等影响，需要提供足够的栅极驱动能力，电容嘛，足够的驱动电流才能快速充电，打开mos管，关闭同样，要快速放电。本质上mos开关过程中是穿越线性去的，会发热，快速开关，即快速穿越线性区，损耗就会小。
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FROM 223.246.191.*
都什么玩意瞎扯淡
【 在 fengguojin 的大作中提到: 】
: 1.换个电流10A或者100A的，能好很多
: 2.MOS管一般不建议走持续电流，得脉冲的才是正题啊。
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FROM 49.78.100.*
还正解！
难怪硬件工资低！
【 在 Qlala 的大作中提到: 】
: 第二条是正解
: 持续大电流一般都是多管并联
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FROM 49.78.100.*
哈哈，这个帖子很欢乐。
个人认为mos管最有价值的入门应用就是电源入口代替防反接二极管。
【 在 dididong (dididong) 的大作中提到: 】
: 都什么玩意瞎扯淡
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: 【 在 fengguojin 的大作中提到: 】
: : 1.换个电流10A或者100A的，能好很多
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FROM 111.193.167.*
大牛级回复！
【 在 Dever 的大作中提到: 】
: 设计电路的时候，要参考datasheet里面SOA部分，以决定mosfet的工作条件。
: 一般情况下，可这样排查发热问题
: 1. mos要快开快关，才能减少开关损耗，即发热。受mos米勒电容等影响，需要提供足够的栅极驱动能力，电容嘛，足够的驱动电流才能快速充电，打开mos管，关闭同样，要快速放电。本质上mos开关过程中是穿越线性去的，会发热，快速开关，即快速穿越线性区，损耗就会小。
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FROM 203.193.1.*