想起以前在一个充电管理芯片的datasheet里看到过说MOS管打开的时候在S那里会有个瞬间的冲击电流
感觉你这个有可能和这个电流有关，而且你U1的过流保护1.5A 10us就触发，阈值也不高
datasheet上说的解决方法是降低MOS管的开关速度，在GD和GS上额外并电容
这个只是当时在datasheet上看到的，我没实际测过效果
你可以把5F1换个小电阻，量量两端压降换算成实际电流是多少
我看的那个充电芯片是TI的BQ24171，在datasheet第27页下面有个示意图
https://www.ti.com/product/BQ24171?keyMatch=BQ24171&tisearch=search-everything&usecase=GPN
【 在 elechen (等灯) 的大作中提到: 】
: 如图之电源开机和防过流过压电路，U9已经移除，P3V3_1 处电源终结，后面的电路不用考虑。
: 右上角电路是成熟电路，在我们多个设备中已经应用很久，本次加入了U1和U9（U9可以先不用考虑）做过压过流的保护。
: PVBAT是3.7V锂电池供电，锂电池本身电流能力大于2.5A。
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上电瞬间温升应该不至于到热保护的水平吧
【 在 elechen (等灯) 的大作中提到: 】
: 这的确是个问题啊，这个是为了散热吧，不会影响正常的电流sense功能吧，看框图，Rsense已经内部通道连接了，没有看出需要依靠sense-epad之间的路径？难道上电瞬间是热保护了？
: SENSE, Exposed Pad: Current Sense Node and Internal
: N-channel MOSFET Drain. An internal sense resistor
: ...................
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