对于MLCC的耐压，比如这是Yageo手册里的。

Voltage Proof
IEC 60384-14.6 Specified stress voltage applied for 1~5 seconds
Ur ≤100 V: series applied 2.5 Ur
Charge/Discharge current is less than 50 mA
No breakdown or flashover

对于漏电流肯定是NP0的好，但是是不是比某些CBB电容好没有研究过。我看他们做电压表对于某些漏电流要求高的积分电容会选各种各样的CBB电容来试
※ 修改:·commander 于 Jul  8 12:44:17 2021 修改本文·[FROM: 218.83.127.*]
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修改:commander FROM 218.83.127.*
FROM 218.83.127.*

封装有限制啊  0402
【 在 tom6bj 的大作中提到: 】
: 直接上2kV耐压的不就完了， 几分钱的事儿
: https://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z10.3-c-s.w4002-21223910208.12.95316a4biQka8t&id=522577028783
: 探测器高压输入处需要一个滤波电容， 容值1nF， 耐压100V， 这个电容的漏电或者说绝缘电阻参数很重要，想问一下， 1  标称100V 耐压的电容是不是厂家已经给留了余量，我加的电压为100V， 用耐压参数为100V的电容可以不可以，还是我必须选择耐压大于100V的？   2  对NP0 X5R  X7R 这些介质的电容， 在耐压、容值、封装大小都一样的情况下， 哪种介质漏电最小？ 感谢！
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FROM 124.65.9.*

之前看到的某个贴子，皮安表，用两段聚四氟线拧在一起，实现了一个几pF的电容
【 在 commander 的大作中提到: 】
: 对于MLCC的耐压，比如这是Yageo手册里的。
:
: Voltage Proof
: ....................

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FROM 180.90.15.*