- 主题:求拍砖：这个MOSFET栅极波形是不是相当差？
G脚tao值过大，其他人建议的没错，减少R，
建议
-----------肖特基-----------
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--------------------R------------------------------------
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C
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GND
快速关断
至于打开速度你要是觉得慢，除了tao值，只能加电压了
【 在 intron 的大作中提到: 】
: 目前是 IRFB7437。
: Ciss 典型值 7.33nF，Qg 典型值 150nC。
:
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修改:dismoon FROM 180.116.132.*
FROM 180.116.132.*
别用EG3112
别用EG3112
别用EG3112
1. 你要的是开关速度，EG3112是开关能力强，速度呵呵呵，而且管脚的寄生电容很大
2. 悬浮地charge不够，如果你是搭桥，开关频率高，经常是上面一个MOS打开了，充电电荷不足够长时间打开管子（你总要考虑有漏电），我用下来基本上搭桥开关频率超过4KHz你就不如老实光耦+NPN/PNP再去驱动MOS了
【 在 intron 的大作中提到: 】
: 请见本帖附件。
: 上升沿、下降沿都不陡峭。现在MOSFET的发热比较厉害。
: 现在还在用老旧的驱动器 IRS2003S，打算换用 EG3112。
: ...................
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FROM 180.116.132.*
你这是一个周期0.8ms？
1.25KHz的速度，发热应该和切换的时候陡峭不陡峭关系不大啊
导通时长多少？你测一下DS电压呢
【 在 intron 的大作中提到: 】
: 请见本帖附件。
: 上升沿、下降沿都不陡峭。现在MOSFET的发热比较厉害。
: 现在还在用老旧的驱动器 IRS2003S，打算换用 EG3112。
: ...................
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FROM 180.116.132.*
是的，根本存不住电，所以现在H桥我都是老实用光耦PNP/NPN驱动，去他妈的浮地
【 在 commander 的大作中提到: 】
: EG家有些predriver漏电漏的很奇怪
: 我用过它某个型号上桥臂boost电容根本就存不住电
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FROM 180.116.132.*
我觉得你可能思路从源头就错了....
换个IGBT如何？
既然你都在考虑开关切换发热了，功率有点大？
纯MOS经常会出关断电荷不能快速泄放的问题，你看看有合适你项目的IGBT么
【 在 intron 的大作中提到: 】
: 感谢关注。
: 我的电路没有用到半桥，而是 DC-AC 的推挽变压器结构。
: 两只 MOSFET 的源极都接地，没有浮地。
: ...................
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FROM 180.116.132.*