- 主题:请教SiC MOSFET驱动问题
请教版上高人
SiC MOSFET驱动一般都会要求负压-3至-5V关断，正压18V左右开通。
现在我的驱动信号侧和mosfet侧需要有5kVAC的绝缘水平，并且mosfet侧没有辅助供电。用Si MOS时，就直接用变压器驱动即可，如果是SiC MOS怎么办？有可能在MOS侧没有供电的情况下实现驱动吗？
发自「今日水木 on RMX3350」
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FROM 124.64.10.*
你是在问驱动功率？变压器驱动 功率是不是足够？
【 在 sylph (sylph) 的大作中提到: 】
: 请教版上高人
: SiC MOSFET驱动一般都会要求负压-3至-5V关断，正压18V左右开通。
: 现在我的驱动信号侧和mosfet侧需要有5kVAC的绝缘水平，并且mosfet侧没有辅助供电。用Si MOS时，就直接用变压器驱动即可，如果是SiC MOS怎么办？有可能在MOS侧没有供电的情况下实现驱动吗？
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FROM 1.202.34.*
不是驱动功率。隔离变压器驱动下，关断电平的负电压和开通的正电压一般是对称的吧，传统Si mos栅源可以耐受十几伏的负电平，碳化硅mos受不了，因此传统的驱动电路似乎无法提供SiC mos需要的-3V来关断。我想请教的是，在隔离驱动变压器输出测没有辅助供电的情况下，是否能用阻容二三极管等搭建出适用于SiC mos的驱动电路？
【 在 liaochen 的大作中提到: 】
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: 你是在问驱动功率？变压器驱动 功率是不是足够？
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发自「今日水木 on RMX3350」
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FROM 117.136.0.*
第一句话没法理解啊，一般都是-5~15
传统驱动电路都是 -5~15啊
【 在 sylph (sylph) 的大作中提到: 】
: 不是驱动功率。隔离变压器驱动下，关断电平的负电压和开通的正电压一般是对称的吧，传统Si mos栅源可以耐受十几伏的负电平，碳化硅mos受不了，因此传统的驱动电路似乎无法提供SiC mos需要的-3V来关断。我想请教的是，在隔离驱动变压器输出测没有辅助供电的情况下，是否
: 发自「今日水木 on RMX3350」
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FROM 1.202.34.*
碳化硅一般手册是建议18v，不过15V也没问题，开关速度也能干到10kv/us,不过lz那个5kVA
C绝缘不太好搞
【 在 liaochen (风物长宜放眼量，征途岂止是星辰大海) 的大作中提到: 】
: 第一句话没法理解啊，一般都是-5~15
: 传统驱动电路都是 -5~15啊
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FROM 124.65.226.*
用稳压管
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