- 主题:新做板上的MOSFET栅极波形
你试试不要直接用管脚驱动，给个上拉电阻，然后管脚那边走肖特基，加速开关时间，效率应该还能提升
【 在 intron 的大作中提到: 】
: 驱动器还是老旧的 Infineon(IRF) IRS2003S。
: 经 @tom6bj @xiaoqinglv @tusk @ECUCoder @dismoon 指点，
: 将驱动电压升至 15V，栅极串联电阻降至 10Ω(没敢减到 2Ω)。
: ...................
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FROM 117.63.239.*
对啊，波形上下速度和寄生电容充放电速度有直接关系
近端上拉电阻+肖特基快速放电无截止时间
当然91%么，其实已经算不错的效率了
【 在 intron 的大作中提到: 】
: 你是说，栅极电压上升时用上拉电阻拉升，
: 而栅极电压下降时用 IRS2003S 通过肖特基二极管克服那上拉电阻来下拉？
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FROM 117.63.239.*
还有就是追求效率是好的，也别太执着，速度太快反电势给你个雪崩，那就真的一烧一大片了
【 在 intron 的大作中提到: 】
: 你是说，栅极电压上升时用上拉电阻拉升，
: 而栅极电压下降时用 IRS2003S 通过肖特基二极管克服那上拉电阻来下拉？
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没有。
多试，留足余量，别太偏执，就这些。
管子切换速度永远和稳定耐操是矛盾的
【 在 ericking0 的大作中提到: 】
: 最近在折腾BMS高边驱动，也在纠结这个问题；
: 太快感应电动势把管子打坏，太慢关断过程中的热耗把管子烧坏；
: 请问有啥设计的guide line吗？
: ...................
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FROM 117.63.131.*
当然如果你打坏管子的频率和烧坏管子的频率很接近，我直接建议是换个管子吧，非要用算盘算核爆理论，历史上有一次就足够了。。。。
【 在 ericking0 的大作中提到: 】
: 最近在折腾BMS高边驱动，也在纠结这个问题；
: 太快感应电动势把管子打坏，太慢关断过程中的热耗把管子烧坏；
: 请问有啥设计的guide line吗？
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FROM 117.63.131.*
你确定？
15V对G的充放时间和10V对G的充放时间能一样么？（考虑G的寄生电容）
【 在 intron 的大作中提到: 】
: 目标效率 90%。
: 由于 10V 栅极电压就足以让 MOSFET 的场区充分导通了，
: 所以只需要看 0V 与 10V 之间的耗时，图上是 0.5 微秒左右。
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