- 主题:你们MOS管G极都加电阻吗？
你这几十颗加起来的Qg有没有100nC啊
:)
【 在 HxSailor 的大作中提到: 】
: 一两个不用纠结，我司有的板子一个板子大几十颗mos管，，，
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FROM 180.161.90.*
看开关频率，根据寄生电容计算串联电阻，通过偕振增加导通速率
【 在 HxSailor (Age) 的大作中提到: 】
: 昨天公司内部学习，这个问题争论了一个半小时，谁也说服不了谁？
: 做个小调查。
: 先说自己原则：
: 控制电流路径的高功率MOS管的G极一般都加。
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FROM 114.94.59.*
mos,内部电阻基本小几个欧姆，太小的话，dv/dt和di/dt会很大，对EMC/EMI还有器件降
额什么都很麻烦，不如串进去一个电阻
【 在 HxSailor 的大作中提到: 】
: 昨天公司内部学习，这个问题争论了一个半小时，谁也说服不了谁？
: 做个小调查。
: 先说自己原则：
: ...................
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FROM 124.65.234.*
要算要仿真要测试啊，驱动芯片频率多少 dvdt多少 最大驱动电流多少 mos寄生电容多少 上下管参数是否对称，这些都影响，一条筋加或者不加的都是半瓶子醋
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FROM 111.198.57.*
主要是点灯和状态信号。不是pwm之类的驱动管，也不做电源。
【 在 Doraemon628 的大作中提到: 】
: 多大的mos？
: 发自「快看水母 于 VOG-AL00」
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FROM 114.84.46.*
啊这……
不介意几毛钱的成本和面积就加上个小电阻，介意成本面积也介意EMI的话也可以用低速GPIO驱动限制驱动电流，点调试灯的小mos怎么驱动就没必要吵一个半小时吧。。。
【 在 HxSailor 的大作中提到: 】
: 主要是点灯和状态信号。不是pwm之类的驱动管，也不做电源。
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FROM 111.198.57.*
有必要，状态信号也是关键信号，也是系统瓶颈。只是没有在反复高频率翻转罢了。
【 在 eggcar 的大作中提到: 】
: 啊这……
: 不介意几毛钱的成本和面积就加上个小电阻，介意成本面积也介意EMI的话也可以用低速GPIO驱动限制驱动电流，点调试灯的小mos怎么驱动就没必要吵一个半小时吧。。。
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FROM 114.84.46.*
实测就行了，低速开关的小信号mos只关心米勒平台和Vgs上下过冲就够了，过冲明显就加电阻，平台明显就减电阻加电流
你大概可能在考虑Vgs过高损坏mos管？一般来说用cmos电平驱动的话是想多了
【 在 HxSailor 的大作中提到: 】
: 有必要，状态信号也是关键信号，也是系统瓶颈。只是没有在反复高频率翻转罢了。
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FROM 111.198.57.*
高速必加，低速无所谓
【 在 HxSailor 的大作中提到: 】
: 昨天公司内部学习，这个问题争论了一个半小时，谁也说服不了谁？
: 做个小调查。
: 先说自己原则：
: ...................
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FROM 114.226.251.*
这个高速低速的定义是？
【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 高速必加，低速无所谓
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FROM 58.246.155.*