- 主题:求推荐最简单常用的运放
你可真无聊
我本来不想奚落你
自以为是
你就说说你是怎么认定这是小信号的？
【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 哈哈，这20年就是靠问东问西解决自己的就业问题的吧
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FROM 222.128.117.*
小朋友
我这边是做1mm2的180nm工艺数模混合芯片
我用的工具是XA做全芯片包括数字netlist的仿真
也用spectre+Xcelium做全芯片混仿
你能看懂吗？
【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 哈哈，这20年就是靠问东问西解决自己的就业问题的吧
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有版友早已经回答了
而且我样品都买了
板子都焊接好了
今天来回应一些之前我没回复的网友
毕竟人家提出建议我没回复不礼貌
你这样的小白
不知自己深浅
自以为是
问你一个小问题
你知道做一颗芯片的fib价格大约多少吗？
你可能连fib都不懂吧？
ate机台你操作过吗？
可靠性实验你做过哪些？
【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 呵呵，那你继续在这版上问呗，随便
: 我就估算一下你这问题是一个有经验的会模拟的工程师一个月的工作量
: 本来也就是好意跟你说一下，白嫖没人能给你答案的，要测试要做
: ...................
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所以我说你自以为是
对你本该懂得领域都不知道
对外界世界更不了解
对于微小电流测量
你可能连哪里最权威都不知道
我告诉你
中国标准化研究院
十三陵附近
我去谈过业务
【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 依然懒得看
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不懂不要装懂
否则被内行人一眼看穿
只能打哈哈哈了
哈哈哈
【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 北京TAM，我去看过升旗
: 哈哈哈
:
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FROM 222.128.117.*
180nm和28nm没区别
我在原文中提到180nm是为了和1mm2面积对应表明芯片规模
只要数字不复杂就可以做
模拟器件数量和数字比差了不止一个数量级
而且我做的是数字后端给的netlist
如果数字是前端rtl，那简单的很
数模混仿可以做芯片启动仿真
如果需要，我这边团队可以做，都是跑通了的
我们私信聊
【 在 nlgdczm 的大作中提到: 】
: 180nm，记得stm32好像也是这个级别的。
: 求问更高工艺，比如28nm，也能做数模混合吗？比如加外面就一路1.8V电进来，die里自己做ldo或者dcdc或者开关，软件去控里面电的电压和开关。
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修改:hhxss FROM 222.128.117.*
FROM 222.128.117.*
不同工艺或者异质的啊
soc是cmos
电源是hv的
【 在 nlgdczm 的大作中提到: 】
: 不是这行的啊！纯好奇发问。
: 看mtk和高通之类的手机soc，狂多、十几路甚至几十路电源往soc里捅，外面还得单独一颗甚至几颗电源芯片。本青就很奇怪了：做芯片的人就不会把电源也做进去吗？同一个电压的就一路电送过去，芯片内部自己开关；不同电压的，芯片内部自己加ldo或者dcdc转。不这么做，是出于什么样的考虑？
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FROM 222.128.117.*
在功能机时代
pmu和soc是集成了的
到智能机时代
功耗增加了（散热问题）
pmu复杂了
又独立了
soc的研发是大大头
如果用同一节点的先进工艺做pmu，没有任何优势甚至不可行（器件耐压问题）
如果是不同工艺合封
pmu的散热会导致soc出问题
所以只能在板上散热了
【 在 nlgdczm 的大作中提到: 】
: 不是这行的啊！纯好奇发问。
: 看mtk和高通之类的手机soc，狂多、十几路甚至几十路电源往soc里捅，外面还得单独一颗甚至几颗电源芯片。本青就很奇怪了：做芯片的人就不会把电源也做进去吗？同一个电压的就一路电送过去，芯片内部自己开关；不同电压的，芯片内部自己加ldo或者dcdc转。不这么做，是出于什么样的考虑？
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可是我要测的就是10M电阻
万用表10M内阻不够吧？
【 在 axu 的大作中提到: 】
: 不应该呀，手持式万用表电压档的内阻一般就是10M
: 不要用毫伏或自动挡，那个内阻太高
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