- 主题:求推荐最简单常用的运放
LMC6042, Input bias低到18fA
国产有好几款, 也能低到1pA
【 在 hhxss 的大作中提到: 】
目的是测量输出25nA+-30%的直流小电流
小电流通过10M ohm电阻产生电压，万用表测量不出来
现在需要运放
作为这个直流电压的buffer，
输入电压0.15-0.35V
运放可以在1.8V，3.3V下工作,单电压供电
直流增益40dB即可
非常感谢！
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修改:hhxss FROM 111.0.167.*
FROM 114.246.108.*
后面的stm32有不少90nm甚至65nm的吧?
查了一下, H7已经是40nm了, 更新的还有少数28nm的
【 在 nlgdczm 的大作中提到: 】
180nm，记得stm32好像也是这个级别的。
求问更高工艺，比如28nm，也能做数模混合吗？比如加外面就一路1.8V电进来，die里自己做ldo或者dcdc或者开关，软件去控里面电的电压和开关。
【 在 hhxss 的大作中提到: 】
: 小朋友
: 我这边是做1mm2的180nm工艺数模混合芯片
: 我用的工具是XA做全芯片包括数字netlist的仿真
: ...................
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FROM 114.246.108.*
集成ldo是常规操作了吧, stm32之类很多都是1.xV的核心电压
集成dcdc的mcu也有不少了, 不过电感还是要外接的
【 在 nlgdczm 的大作中提到: 】
不是这行的啊！纯好奇发问。
看mtk和高通之类的手机soc，狂多、十几路甚至几十路电源往soc里捅，外面还得单独一颗甚至几颗电源芯片。本青就很奇怪了：做芯片的人就不会把电源也做进去吗？同一个电压的就一路电送过去，芯片内部自己开关；不同电压的，芯片内部自己加ldo或者dcdc转。不这么做，是出于什么样的考虑？
【 在 hhxss 的大作中提到: 】
: 只要数字不复杂就可以做
: 模拟器件和数字比差了不止一个数量级
: 而且我做的是数字后端给的netlist
: ...................
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FROM 114.246.108.*