设计电路的时候，要参考datasheet里面SOA部分，以决定mosfet的工作条件。

一般情况下，可这样排查发热问题

1. mos要快开快关，才能减少开关损耗，即发热。受mos米勒电容等影响，需要提供足够的栅极驱动能力，电容嘛，足够的驱动电流才能快速充电，打开mos管，关闭同样，要快速放电。本质上mos开关过程中是穿越线性去的，会发热，快速开关，即快速穿越线性区，损耗就会小。

2.mos打开后，要提供足够的Vgs电压，从datasheet中可以了解到，导通电阻RdsON跟Vgs正比，Vgs不够，RdsON大，导通损耗就会大。

3.设计mos的选型，要根据datasheet的SOA确定mos是否符合所需的工作条件。譬如1ms脉冲下，能提供的好散功率，超了SOA，秒烧。

4.散热，mos工作时，特别是开关时会产生大量的热量，要提供足够的散热设施，了解mos哪个方向热阻小，设计合适的散热设施。

  
【 在 kilby (剑客) 的大作中提到: 】
:  2只NCE2003构成的桥式驱动电路，持续电流200mA左右，单个MOS管上D和S电压约1V。
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:  测量得温度在50°C以上，正常吗？
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