感谢，我会研究下你说的这个器件。
GS是上有预留的电容位置，图上是4.7uf， 换过手头有的1uf 4.7 10 0.1uf的，都没有用。
GD上没有电容位，到时候想办法试试。


【 在 yupipi 的大作中提到: 】
: 想起以前在一个充电管理芯片的datasheet里看到过说MOS管打开的时候在S那里会有个瞬间的冲击电流
: 感觉你这个有可能和这个电流有关，而且你U1的过流保护1.5A 10us就触发，阈值也不高
: datasheet上说的解决方法是降低MOS管的开关速度，在GD和GS上额外并电容
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