感谢关注。

我的电路没有用到半桥，而是 DC-AC 的推挽变压器结构。
两只 MOSFET 的源极都接地，没有浮地。
IRS2003S 的 VB(自举电容正端) 接 VCC，VS(浮地) 接 GND。
HO 和 LO 的输出电压范围都是 0 - VCC。

至于 EG3112，我只买了两片测试一下。
并且我也暂不打算尝试其中的 DMOS 器件的耐高压情况。
听你这么一说，我有点怀疑他们对于 高电压 BCD 工艺
(Bipolar-CMOS-DMOS) 集成电路的设计水平了。

稍后贴出提升 VCC 后的栅极波形图，以及
德国 Infineon(美国 IRF) IRS2003S 与
台州屹晶微 EG3112 的对比波形图。


【 在 dismoon (伐开心要包包) 的大作中提到: 】
: 标  题: Re: 求拍砖：这个MOSFET栅极波形是不是相当差？
: 发信站: 水木社区 (Tue Jan  4 20:04:19 2022), 站内
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: 别用EG3112
: 别用EG3112
: 别用EG3112
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: 1. 你要的是开关速度，EG3112是开关能力强，速度呵呵呵，而且管脚的寄生电容很大
: 2. 悬浮地charge不够，如果你是搭桥，开关频率高，经常是上面一个MOS打开了，充电电荷不足够长时间打开管子（你总要考虑有漏电），我用下来基本上搭桥开关频率超过4KHz你就不如老实光耦+NPN/PNP再去驱动MOS了
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: 【 在 intron 的大作中提到: 】
: : 请见本帖附件。
: : 上升沿、下降沿都不陡峭。现在MOSFET的发热比较厉害。
: : 现在还在用老旧的驱动器 IRS2003S，打算换用 EG3112。
: : ...................
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: ※ 来源:·水木社区 http://www.mysmth.net·[FROM: 180.116.132.*]
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