目标效率 90%。
由于 10V 栅极电压就足以让 MOSFET 的场区充分导通了，
所以只需要看 0V 与 10V 之间的耗时，图上是 0.5 微秒左右。
这就是按照各位指点提高了驱动电压的好处。
【 在 xiaoqinglv 的大作中提到: 】
: 标 题: Re: 新做板上的MOSFET栅极波形
: 发信站: 水木社区 (Sat May 28 07:24:42 2022), 站内
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: 你的效率目标是多少？
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: 从你的图来看，上升速度慢了一点，约为1us，可以减小一下驱动电阻，驱动电阻功率用
: 大一点。
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: 如果还要提高效率，换个导通电阻更低一点的开关管，或者把二极管换成开关管。
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: 【 在 intron 的大作中提到: 】
: 驱动器还是老旧的 Infineon(IRF) IRS2003S。
: 经 @tom6bj @xiaoqinglv @tusk @ECUCoder @dismoon 指点，
: 将驱动电压升至 15V，栅极串联电阻降至 10Ω(没敢减到 2Ω)。
: MOSFET 是 无锡新洁能 NCEP039N10D (TO-263 封装)，
: 其输入电容可达 9.685 nF。
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: 电路拓扑结构是 Boost，效率大约 91%。
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: [upload=1][/upload]
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: ※ 修改:·intron 于 May 27 19:44:41 2022 修改本文·[FROM: 111.196.242.*]
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: ※ 来源:·水木社区 mysmth.net·[FROM: 111.30.247.*]
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修改:intron FROM 111.196.242.*
FROM 111.196.243.*