在我的电路中，驱动器 IRS2003S 的电源电压是 15V。

不过关于 MOSFET，其 10V 的充分导通电压是手册给出的。
无论是 Infineon(IRF) 还是 无锡新洁能，手册中的 R_DS(ON)
典型值都是以 V_GS=10V 作用导通条件的。

【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 标  题: Re: 新做板上的MOSFET栅极波形
: 发信站: 水木社区 (Mon May 30 08:19:47 2022), 站内
:
:
: 你确定？
: 15V对G的充放时间和10V对G的充放时间能一样么？（考虑G的寄生电容）
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: 【 在 intron 的大作中提到: 】
: : 目标效率 90%。
: : 由于 10V 栅极电压就足以让 MOSFET 的场区充分导通了，
: : 所以只需要看 0V 与 10V 之间的耗时，图上是 0.5 微秒左右。
: : ...................
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: ※ 来源:·水木社区 http://www.mysmth.net·[FROM: 117.63.239.*]
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