应该西数是闪迪换皮才对吧。

【 在 zyd (dd) 的大作中提到: 】
: 实际就是西数换皮
: 早就被收购了
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写入 DRAM 的数据不保险啊。

如果真的有 SSD 是通过把数据写入 DRAM 来提高写入性能的，恐怕很不靠谱。就算有电池，我也觉得不靠谱。

【 在 zyd (dd) 的大作中提到: 】
: 这个主要用于是某些频繁读写的小数据的速度提升吧
: 就是一般测试软件里的4k读写测的，在部分系统场景里能体验到的。只不过一般情况要读写的文件量不会很大，所以重要性相对没那么大。
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不懂别乱讲啊。。

【 在 zyd (dd) 的大作中提到: 】
: 你想想看整个电脑里
: cpu，一级缓存，二级缓存，三级缓存，内存，都是这么工作的。掉电了就重启而已，之前白做了而已。
: ssd一样，数据写入中间dram的时候，如果掉电，不过和电脑非正常关电源一样，没有成功写入而已
: ...................
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临时小文件多的时候，操作系统会给 m2 固态硬盘喂多个队列的数据啊。。对应用程序来说，无论在 SSD 还是操作系统做缓存（队列），看到的响应时间都是一样的。

感觉是负优化。因为 nvme 协议本身是异步的。DRAM 缓存因为易失，只能选择 write-through 和 write-around 两种模式，它们都是为了提高写入后读的性能，而不能提高写性能。既不能降低延迟，也不能提高吞吐。

SLC 缓存和 DRAM 缓存就不一样了。写入到 SLC 缓存的数据已经持久化，主控可以返回写入完成的回应给操作系统。所谓的 wirte-back 缓存，极大提升写性能。

总之，DRAM 的使用场景很局限。与其花晶体管搞 DRAM，不如花晶体管搞 SLC 缓存。我还担心无良 SSD 主控乱来。性能差点无所谓，丢数据不能忍。

【 在 zyd (dd) 的大作中提到: 】
: 主控当然不能坑呀，然而几十年机械硬盘都这么过来了，缓存的机理已经成熟不能再成熟了。断电报错的机理早就在那里。
: 这个目的是提升系统反应和游戏之类的体验呀，主要是大量的临时的小文件，tlc写入会较慢，某些时候零点几秒的差异，会给用户带来很大的感受差别。反过来说即使很小概率断电出错，不过重启下游戏什么的就能解决。
: 在连续大量数据写入的时候，缓存当然就没用了。
: ...................
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因为多了一个部件。出错的可能性又高了一点点。

而且这些 SSD 厂商，为了利润可以偷偷用白片，现在为了跑分上好看，鬼知道还会干出什么事情出来。不能高估他们的道德水平。这事除非是 intel 来干，不然我哪家都不敢信。

【 在 lvsoft (Lv(The Last Guardian)) 的大作中提到: 】
: dram有电池的情况下为啥你要觉得不靠谱啊？
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