- 主题:再问一个SSD干货问题
关键就是看区块的擦写次数。基本上是折半。SLC是1万，MLC是3000，TLC是1500。
而且要考虑写入放大。
以上都是理论，实际还要考虑主控将数据均分和挪动的算法。
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 为什么NAND颗粒晶体管间距大了会更稳定,寿命更好,原来几十层的TLC现在都100多层的TLC了,感觉比原来一些早期的MLC还要寿命长点
: 原来都是平面工艺MLC那个年代一堆人说19nm寿命肯定比14nm好,原理是什么
: 回答干货和提问技术问题一般都没人回,我只是想打破魔咒
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FROM 180.164.48.*
在这个方面，我理解xLC对应的所有“物理格子”都是类似的。不存在slc比qlc的物理条件更特殊的情况。只是slc的一个“格子”只用于表示0或者1，而qlc一个格子需要表示16种状态。因此在相同制程下，slc比qlc更好控制电压。
【猜测】例如一次写入有正确率一说，设电压正确率在16状态下如果是40%，那可能就要写3~4次才会对，这样就慢了，而且实际写了好几次，使用寿命也就下降了。
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 就是不懂为什么SLC是1万MLC怎么一下减到3000了
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FROM 180.164.48.*
有道理。那岂不是可以搞种技术，在TLC烂的时候变成MLC，再变成SLC来用。哈哈。
【 在 fanjiyouyi 的大作中提到: 】
: 并不是尝试多次写入造成寿命损失
: 是一个单元格状态数多了，测量敏感
: SLC能写1万次，格子写的破破烂烂才分辨不出是0是1
: ...................
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FROM 222.68.18.*
也没大缩水啊。现在TLC盘2T也就1400，转成MLC有接近1T。。。970pro 1T卖2700呢
【 在 fanjiyouyi 的大作中提到: 】
: 可以吧，就是容量大缩水
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FROM 124.78.50.*