- 主题:再问一个SSD干货问题
你想多了
新制程颗粒寿命短是肯定的
老盘容量小，100GB盘，可写次数3000次的话，也就300TBW不到
新盘1T，能写600次，就600TBW了。这600次还是用了更多冗余颗粒的结果。单颗粒到不了600次
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 那为什么14nm的NAND颗粒寿命感觉比原来19nm还要好,现在1T的固态基本都是600TBW寿命以上,这600还是保修的寿命,实际寿命应该比1000TBW还要高吧
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并不是尝试多次写入造成寿命损失
是一个单元格状态数多了，测量敏感
SLC能写1万次，格子写的破破烂烂才分辨不出是0是1
MLC是写到3千次，格子半破就无法分辨内容了
TLC写1千次，格子物理上说还比较新，但已经分辨不出8种状态了
【 在 ackerx 的大作中提到: 】
: 在这个方面，我理解xLC对应的所有“物理格子”都是类似的。不存在slc比qlc的物理条件更特殊的情况。只是slc的一个“格子”只用于表示0或者1，而qlc一个格子需要表示16种状态。因此在相同制程下，slc比qlc更好控制电压。
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新制程mlc是1千次
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 好多NVME固态1T的全是一个NAND颗粒,TBW是600T
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可以吧，就是容量大缩水
【 在 ackerx 的大作中提到: 】
: 有道理。那岂不是可以搞种技术，在TLC烂的时候变成MLC，再变成SLC来用。哈哈。
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