- 主题:再问一个SSD干货问题
nand flash是用浮动栅极的氧化层锁住电子来保持数据，制程越细密，氧化层越薄，里面锁的电子当然也少，所以随着制程演进，擦写寿命是越来越拉胯的
当然比特数还在增加，SLC MLC TLC QLC ，这个是数量级拉胯的
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 为什么NAND颗粒晶体管间距大了会更稳定,寿命更好,原来几十层的TLC现在都100多层的TLC了,感觉比原来一些早期的MLC还要寿命长点
: 原来都是平面工艺MLC那个年代一堆人说19nm寿命肯定比14nm好,原理是什么
: 回答干货和提问技术问题一般都没人回,我只是想打破魔咒
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FROM 120.244.196.*
层数对寿命没帮助
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 那现在那些100多层的TLC是不是寿命基本也追上,原来的MLC了,因为我原来买的固态都根本没有TBW寿命参数,新的固态就全有这参数了
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FROM 120.244.196.*
和层数没关系，和制程有关系
只是同样的容量，同样的pcb面积，层数高的可以用更粗的制程。从这个角度上说可以提高擦写寿命，但起作用的是制程
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 从新回复一下,层数多了同样一个NAND芯片,每个存数据的空间就大了一点点,肯定寿命更好啊
: 反正网上看到很多介绍,有很多直接或间接就说了层数多的寿命优势,当然主要是为一个NAND颗粒容量更大
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FROM 111.201.129.*
现在nand颗粒基本都是14nm的
三星960pro用的40nm MLC颗粒
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 原来是这样导致寿命好的啊,那现在的NAND颗粒的制程和CPU的那些14nm制程差别大吗
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修改:tsa300 FROM 123.126.43.*
FROM 111.201.129.*
多加点儿冗余颗粒
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 那为什么14nm的NAND颗粒寿命感觉比原来19nm还要好,现在1T的固态基本都是600TBW寿命以上,这600还是保修的寿命,实际寿命应该比1000TBW还要高吧
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FROM 111.201.129.*
970pro的时候已经14nm了，980pro是128层8nm制程
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 最新的三星固态也全14nm了吧?
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FROM 111.201.130.*
SLC能写10万次，MLC一万次，TLC一千次
【 在 fanjiyouyi 的大作中提到: 】
: 并不是尝试多次写入造成寿命损失
: 是一个单元格状态数多了，测量敏感
: SLC能写1万次，格子写的破破烂烂才分辨不出是0是1
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FROM 123.126.43.*
每单元擦写寿命 SLC 10万次，MLC 1万次，TLC 1000次
【 在 ackerx 的大作中提到: 】
: 关键就是看区块的擦写次数。基本上是折半。SLC是1万，MLC是3000，TLC是1500。
: 而且要考虑写入放大。
: 以上都是理论，实际还要考虑主控将数据均分和挪动的算法。
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FROM 123.126.43.*
用除法得不到真正的每单元擦写寿命
ssd内部有缓存，还有冗余颗粒，容量越大冗余颗粒也越多。
另外设计上可以通过牺牲其他特性来增加擦写寿命，比如缩短数据保持时间，增加擦写次数等等。
也可以让实际用法有很大影响，某些ssd 顺序写入可以比随机写入高几倍的擦写寿命，宣传擦写寿命的时候可以取它喜欢的那个值（你猜厂商会选哪种？），厚道的用小字标一下测试条件，什么也不写你也没辙，顶多用除法算出个数来不知所云。。。。
【 在 Akyrum 的大作中提到: 】
: 西数SN640容量7.68T能把耐久标到11000TBW，它是什么颗粒，算术除得写入次数>1400
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FROM 123.126.43.*
断电保持数据时间和制程、每单元比特数（SLC vs MLC vs TLC etc)有直接关系，实际上就是浮动栅极里被氧化层锁住的电子一直在慢慢漏掉，每单元比特数越多，漏电对保持数据造成的影响越明显
90nm SLC 能断电保持数据10年，MLC 1年左右，TLC 两三个月
长时间不通道导致性能变差是主控在后台拼命复制搬移数据，给漏电漏差不多的数据续命。现在ssd的主控一直监视颗粒的数据完整性，察觉漏差不多了就赶紧复制一下。正常情况下用户不会有感知，但断电很久，很多颗粒都急着续命，用户就发现ssd性能掉下去了。
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 那要是按这种原理,MLC长时间不通电性能变差,会明显比TLC强很多吧,前段时间的半年不用固态三星西数等性能下降帖子
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FROM 123.126.43.*