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- 主题:关于..NVME标称寿命TBW是SATA的2倍左右，八成是TLC和QLC的差别
- 【 在 ble 的大作中提到: 】
: 这是怎么判断的呢，走不到软件能分辨这些。
: 发自「今日水木 on IN2010」
好的自然自己标出来当卖点，不好的自然会遮遮掩掩
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FROM 117.181.49.* - 【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 你说"3D加厚了损耗层"
: 现在一般厂商都加了多厚啊? 3D TLC是只需要厚一点点,一下TLC也能2000次以上写入啊,还是最起码也要2倍以上的厚度啊
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可能是部分弥补了制程带来的寿命劣化而已，加倍？别想太多了
tlc已经够恶心，它们还想推qlc呢，增加的这点容量远比不上寿命急剧减小的
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FROM 111.58.163.* - 【 在 Akyrum 的大作中提到: 】
: 国行s4510标2500+写入
看起来是高制程mlc的颗粒？
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FROM 111.58.163.* - 【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 我是说3D TLC以后每一层的存放电子的厚度是不是也要双倍厚度? 还是只需要厚一点点寿命一下就提升不少
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具体数据不知道，只是看过3D TLC比一般TLC相同制程下寿命明显提高的解释
双倍是不可能的成本大幅度提高容量却不增加，没人愿意去做的，那还不如直接做成slc了
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FROM 111.58.163.* - 【 在 beijiaoff 的大作中提到: 】
: 技术是不停发展的，qlc也是在进步的。
: 我期望qlc快点发展，满足消费者使用又便宜，有什么不好。
: 让人恶心的是qlc卖tlc的价格。
: ...................
qlc容量增加比例很小，但寿命和读写却剧降，不可接受
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FROM 117.181.146.* - 【 在 Akyrum 的大作中提到: 】
: intel网站说它64层TLC。
: 不过它价格不美丽，同样1200TBW，三星970ep比它便宜，而且三星是nvme呀，它才sata
真的话还算不错了，现在可能制程高了层数高了，厂家不愿意为了寿命增加太多消耗层厚度，一般1000这样
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FROM 117.181.146.* - 【 在 beijiaoff 的大作中提到: 】
: 通常的说法是过时的说法，以前都说tlc写入不超过1000次，但随着技术进步，大家都超了，通常的说法也没有与时俱进。各类谣言不都是这样的嘛。
: 我们自然要站在专业前言和讲事实的角度讨论问题，而不是固守“通常说法”，对吧~
: 你另外一个帖子里讨论的写入放大当然是存在的，这个受限于不同的数据，放大比率是不同的。
: ...................
对。
高寿命颗粒的取决于厂家是否愿意增加成本和产品市场定位。
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FROM 117.181.146.*