我记得三星在今年的ieee上说，3年后要做到1000层
【 在 Acui 的大作中提到: 】
长江存储已经将3D NAND闪存做到了232层堆叠，存储密度15.47Gb每平方毫米，而且传输速度高达2400MT/s，妥妥的世界第一，结果被美国一纸禁令给拦住了，死死限制在128层，但我们肯定不会坐以待毙。
据报道，长江存储正在研发一种神秘的新型闪存，虽然很无奈，但也颇有“移花接木”的奇妙之处。
这种新闪存一方面只有128层，很可能是上一代晶栈Xtacking 2.0架构，但是接口速度是最快的2400MT/s，也就是容量小一些，但性能会比较高，只是具体指标暂时不详。
之所以能这么做，还要感谢长江存储独特的晶栈架构。
它使用了双晶圆键合方式，两片独立的晶圆分别加工存储单元和外围电路，更换后者就可以实现这种低密度、高速度闪存。
其实有说法称，长江存储的232层闪存，并不是一次性堆叠出来的，而是128层、125层两次堆叠再合体，去掉一定冗余，最终得到232层。
这也意味着，哪怕再做128层，也不会导致现有的技术浪费。
只是，由于事件的特殊性，这种新型闪存大概率永远无法得到官方确认。
另外有说法称，长江存储的512Gb闪存芯片在5月份从1.35美元涨价到1.4美元，然后又一路涨到1.5美元、1.6美元，停不下来的节奏。
外媒称，长江存储的底气来自政府补贴，以及美光采购受限后在关键领域留下的空白，但这种说法一看就挺酸的。
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