你还是没有理解这个的应用场景。
比如4k读写最常见就是游戏
那么数据写入dram比写入tlc快的多
写入dram后,还没有写入tlc,游戏里就可以进行下一步了,给玩家更少的等待时间和更流畅的游戏体验。
缓存到tlc出错是小概率事件,而且即使小概率发生了,也不是什么大事,游戏而已,一次没存上盘也无所谓,而且考虑可能百万次才有那么一次失误。
在硬盘里4k读写这项,就是和缓存相关的,测硬盘性能的都会测这个
【 在 hgoldfish 的大作中提到: 】
: 临时小文件多的时候,操作系统会给 m2 固态硬盘喂多个队列的数据啊。。对应用程序来说,无论在 SSD 还是操作系统做缓存(队列),看到的响应时间都是一样的。
: 感觉是负优化。因为 nvme 协议本身是异步的。DRAM 缓存因为易失,只能选择 write-through 和 write-around 两种模式,它们都是为了提高写入后读的性能,而不能提高写性能。既不能降低延迟,也不能提高吞吐。
: SLC 缓存和 DRAM 缓存就不一样了。写入到 SLC 缓存的数据已经持久化,主控可以返回写入完成的回应给操作系统。所谓的 wirte-back 缓存,极大提升写性能。
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修改:zyd FROM 171.88.28.*
FROM 171.88.28.*