我国长江存储目前已经成功量产了232层的3D NAND闪存，并且最新研发的第五代3D TLC NAND闪存层数达到了294层。


【 在 Acui 的大作中提到: 】
: 铠侠（Kioxia）和闪迪（Sandisk）合作，在最近的ISSCC 2025上公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比，新款3D NAND闪存的性能提高了33%，位密度、接口速率和功率效率也有所提高。
: 据TomsHardware报道，BiCS10 FLASH 3D NAND闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造后粘合在一起。这不是什么新鲜事，毕竟在第八代BiCS FLASH闪存技术上就已经这么做了。不过亮点在于，铠侠采用了Toggle DDR6.0接口标准和
: SCA协议，将NAND I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps。
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