- 主题:SSD的模拟slc缓存会不会降低硬盘寿命
如果按某些说法，先按slc写一遍，然后再慢慢按tlc写到别处，相当于写了4次tlc，理论上寿命岂不是降低了3/4。作为存储盘，是不是禁掉slc缓存更合适。
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FROM 123.123.42.*
ssd的写入寿命很长的
普通用户很少有因为寿命挂的
大部分都是突然死亡
【 在 toutouqi 的大作中提到: 】
: 如果按某些说法，先按slc写一遍，然后再慢慢按tlc写到别处，相当于写了4次tlc，理论上寿命岂不是降低了3/4。作为存储盘，是不是禁掉slc缓存更合适。
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FROM 1.202.141.*
SSD寿命=写次数寿命*容量/日数据吞吐量
【 在 toutouqi 的大作中提到: 】
: 如果按某些说法，先按slc写一遍，然后再慢慢按tlc写到别处，相当于写了4次tlc，理论上寿命岂不是降低了3/4。作为存储盘，是不是禁掉slc缓存更合适。
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FROM 221.219.214.*
slc 擦写寿命是10万次，mlc 1万次，tlc 1000次
所以你tlc的盘写一次的过程中， slc 和 tlc 各写了一次，怎么算出来的寿命降低 3/4 呢？
你这句“相当于写了4次tlc”的逻辑是什么？
【 在 toutouqi 的大作中提到: 】
: 如果按某些说法，先按slc写一遍，然后再慢慢按tlc写到别处，相当于写了4次tlc，理论上寿命岂不是降低了3/4。作为存储盘，是不是禁掉slc缓存更合适。
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FROM 39.156.11.*
突然死亡最要命了
【 在 xuppp 的大作中提到: 】
ssd的写入寿命很长的
普通用户很少有因为寿命挂的
大部分都是突然死亡
【 在 toutouqi 的大作中提到: 】
: 如果按某些说法，先按slc写一遍，然后再慢慢按tlc写到别处，相当于写了4次tlc，理论上寿命岂不是降低了3/4。作为存储盘，是不是禁掉slc缓存更合适。
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FROM 114.240.220.*
我理解大部分固态里没有独立的slc，而是拿tlc存储单元来模拟，原来写8个电平的信号到该单元花的时间多，按slc写两个电平就快。用来做slc缓存的存储单元因为写入会造成磨损，只不过磨损程度比写一次8电平信号少，一直按slc也许可以写10万次，因为是动态分配的，磨损到一定程度后按slc写没问题但再按8电平写可能就出错了。3/4是按写slc和写tlc磨损一样计算的，按slc写电压低，所以实际磨损比这个值小。
【 在 tsa300 的大作中提到: 】
: slc 擦写寿命是10万次，mlc 1万次，tlc 1000次
: 所以你tlc的盘写一次的过程中， slc 和 tlc 各写了一次，怎么算出来的寿命降低 3/4 呢？
: 你这句“相当于写了4次tlc”的逻辑是什么？
: ...................
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FROM 123.123.42.*
我理解的是SLC一个Cell两个电压级, MLC4个, TLC8个. 同样大小的数据模拟SLC会比TLC写入更多Cell.
其他各种原因也会造成写入放大. 但一般寿命够用.
有特殊需求的话买DRAM缓存、不带SLC模拟的盘.
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FROM 222.71.242.*
SLC模拟是为了写入速度，
如果对速度没有啥要求，
关掉这个模拟功能比较好。
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FROM 111.194.180.*
这个能关掉吗，需要厂家的固件程序？
【 在 mo2000 的大作中提到: 】
: SLC模拟是为了写入速度，
: 如果对速度没有啥要求，
: 关掉这个模拟功能比较好。
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FROM 223.104.40.*
第一，你禁不掉
第二，寿命已经考虑在缓存算法中了
【 在 toutouqi 的大作中提到: 】
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: 如果按某些说法，先按slc写一遍，然后再慢慢按tlc写到别处，相当于写了4次tlc，理论上寿命岂不是降低了3/4。作为存储盘，是不是禁掉slc缓存更合适。
#发自zSMTH@LYA-AL00
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FROM 117.136.120.*