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标  题: 三星电子开始业界首次量产第 9 代 V-NAND
发信站: 水木社区 (Tue Apr 23 11:22:51 2024), 站内



行业领先的位密度，与上一代相比提高了约 50%

V-NAND 突破性的双堆栈结构通过先进的“通道孔蚀刻”技术提高了生产率
全球先进存储技术领导者三星电子今天宣布，其 1 太比特 (Tb) 三级单元 (TLC) 第 9 代垂直 NAND (V-NAND) 已开始量产，巩固了其在存储领域的领导地位。 NAND闪存市场。

“我们很高兴能够推出业界首款第 9 代 V-NAND，它将带来未来应用的飞跃。为了满足 NAND 闪存解决方案不断变化的需求，三星突破了下一代产品的单元架构和操作方案的界限，”三星电子内存业务闪存产品和技术主管 SungHoi Hur 表示。 “通过我们最新的 V-NAND，三星将继续引领高性能、高密度固态硬盘 (SSD) 市场的趋势，满足下一代人工智能的需求。”

凭借业界最小的单元尺寸和最薄的模具，三星将第9代V-NAND的位密度比第8代V-NAND提高了约50%。避免单元干扰和延长单元寿命等创新技术已应用于提高产品质量和可靠性，同时消除虚拟通道孔也显着减小了存储单元的平面面积。

此外，三星先进的“通道孔蚀刻”技术展示了该公司在工艺能力方面的领先地位。该技术通过堆叠模具层创建电子通道，并最大限度地提高制造生产率，因为它能够在双层结构中同时钻孔业界最高的单元层数。随着细胞层数的增加，穿透更多细胞的能力变得至关重要，这就需要更复杂的蚀刻技术。

第9代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，支持将数据输入/输出速度提高33%，达到每秒3.2吉比特（Gbps）。除了这个新接口之外，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能 SSD 市场的地位。

与上一代相比，通过低功耗设计的进步，功耗也降低了 10%。随着减少能源使用和碳排放对客户变得至关重要，三星的第 9 代 V-NAND 预计将成为未来应用的最佳解决方案。

三星已于本月开始量产 1Tb TLC 第 9 代 V-NAND，随后将于今年下半年量产四级单元 (QLC) 型号。
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