我理解大部分固态里没有独立的slc，而是拿tlc存储单元来模拟，原来写8个电平的信号到该单元花的时间多，按slc写两个电平就快。用来做slc缓存的存储单元因为写入会造成磨损，只不过磨损程度比写一次8电平信号少，一直按slc也许可以写10万次，因为是动态分配的，磨损到一定程度后按slc写没问题但再按8电平写可能就出错了。3/4是按写slc和写tlc磨损一样计算的，按slc写电压低，所以实际磨损比这个值小。
【 在 tsa300 的大作中提到: 】
: slc 擦写寿命是10万次，mlc 1万次，tlc 1000次
: 所以你tlc的盘写一次的过程中， slc 和 tlc 各写了一次，怎么算出来的寿命降低 3/4 呢？
: 你这句“相当于写了4次tlc”的逻辑是什么？
: ...................
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