- 主题:Re: 问一个电路，为什么图中国VDD_12V是12V，怎么计算出来？
mos管处于不停的关断平衡状态？相当于略低于12V？
只要关断，源极就是0v，gs=12v，马上又打开，只要开到高于12v，马上又断？这样mos是不是很容易坏？
【 在 intron 的大作中提到: 】
: 这个电路像是 LDO，就是像 78L12 或 1117-12 那样。
: 也类似于“模拟电路”课本所讲的双极型三极管构成的“射极跟随器”。
: 不过它的理论输出电压应是 D5 的稳压电压减于 Q1 的栅源开启电压。
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FROM 122.192.13.*
主要还是mos后边的电容的原因吧？
电容不断的充放电，当电容电压低于12v，mos就处于微导通状态，导通后电容就充电，充到电压接近12v就关断，然后电容又放电。
【 在 EmiyaShirou 的大作中提到: 】
: 这个MOSFET处于线性工作区，也就是纯电阻状态。
: MOSFET的阻值受Gate电压控制，但并不是跃变的，在Vth到Vth+1.5V这个区间是一个可变电阻。低于Vth呈现高阻，高于Vth+1.5V呈现导通状态。
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FROM 122.192.13.*
说白了就是利用mos管半导通状态的可变电阻区？
mos管相当于一个大电阻？
【 在 ericking0 的大作中提到: 】
: zener长通，12V，3M限流12uA，NMOS source follower，欧啦。
: 一般小电流低功耗场景喜欢用这种，不过一般gate会放点decouple电容，不知道这里为啥不放。
: 另外那里不会是很准的12V，肯定有一个vth损失的。
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FROM 122.194.1.*
nmos的gs之间可以没有电流啊
但npn的be得有电流
【 在 commander 的大作中提到: 】
: 就是个射极跟随器啊
: 把NMOS换成NPN的话能理解吗？
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FROM 122.96.46.*
那你觉得哪个能耗小？
【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 楼主你也别问东问西了，原理图你有了，弄个multisim把原理图弄进去自己模拟一遍，顺便在走电流的回路上挂个电流probe，你自己看看是开关管方式耗能小还是非饱和导通方式耗能小
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FROM 111.201.238.*
那就是开关电源比线性电源好啊
【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 必然是开关状态小啊，有U没I，有I没U（这句话好经典）
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FROM 111.201.238.*