- 主题:Re: 问一个电路,为什么图中国VDD_12V是12V,怎么计算出来?
。。。。为啥你们都认为是线性区?都从circuit跑embedded了....
mos又不是bjt,哪来那么长一片线性区给你用,都是在快速切换,只不过是切换频率快了,接近SR了,你弄个示波器看上去像在平缓让电流通过
【 在 tom6bj 的大作中提到: 】
: 只是线性稳压吧
: LDO一般要用PNP或PMOS,集电极或漏极输出,考虑到反馈相位要做防振处理,
: 衬底还要做N阱等等 (具体器件也可能反过来,把除了输出管以外的部分全做到P阱里?)
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你原理说的没错,是LDO,可是你们和我就一点不同,你们都觉得mos不在切通断,我说mos在切通断。
好了,我也不想从头分析了,我们就从结论说,你用一个LDO你弄个半波整流二极管(D2)?就是因为通断杂波多所以D2用来控制电流方向截断反向电势
【 在 spadger 的大作中提到: 】
: 就是LDO,高电压低电流,买不到合适的LDO,自己搭一个。
: 很常见的用法。
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奇了怪了,circuit的版主挺线性区,embedded版主挺开关
当然我挺开关,而且我知道我是对的。
堂堂circuit版主要输给embedded版主了?
【 在 intron 的大作中提到: 】
: 这个电路像是 LDO,就是像 78L12 或 1117-12 那样。
: 也类似于“模拟电路”课本所讲的双极型三极管构成的“射极跟随器”。
: 不过它的理论输出电压应是 D5 的稳压电压减于 Q1 的栅源开启电压。
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你现在用的电脑里面CPU的mos一秒切几百万次也没见坏啊
【 在 chinatongue 的大作中提到: 】
: mos管处于不停的关断平衡状态?相当于略低于12V?
: 只要关断,源极就是0v,gs=12v,马上又打开,只要开到高于12v,马上又断?这样mos是不是很容易坏?
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那是因为你工作区算的不好吧....
【 在 zkr 的大作中提到: 】
: 带上功率可就不一样了……
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我就说一个工程师都应该知道的结论
BJT你可以用非饱和工作区
但是脑子正常的工程师都应该避免MOS管进入非饱和工作区,MOS管,你就是要当它非0即1用(cmos的运放不讨论,因为cmos运放的mos用来做线性的基本不承载功率)
好了,我就说这么多
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修改:dismoon FROM 117.63.134.*
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不不不,你是理解错我说的东西了。
首先明确一点
mos以极高速导通和截止,你从外部看上去和线性是一样的(类似你PWM出一个电压)
我是在说,既然图中用的是mos管负责连接48V和12V,那么好的设计,就应该利用mos的夹断和恒流区来实现功能
而不是利用mos的非饱和导通区。
【 在 zkr 的大作中提到: 】
: 对结论感到略莫名,线稳拿MOSFET当调整管不稀奇啊,超低压差LDO很多用的
: 随手举例,RT9043,TI TPS73601,其中,73601还是NMOS的
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而且你都说超低压了,这还讨论个啥....
你弄个G极导通<1.2V的mos给我看看呢
都超低压LDO了.....还用开关管?
【 在 zkr 的大作中提到: 】
: 对结论感到略莫名,线稳拿MOSFET当调整管不稀奇啊,超低压差LDO很多用的
: 随手举例,RT9043,TI TPS73601,其中,73601还是NMOS的
:
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楼主你也别问东问西了,原理图你有了,弄个multisim把原理图弄进去自己模拟一遍,顺便在走电流的回路上挂个电流probe,你自己看看是开关管方式耗能小还是非饱和导通方式耗能小
【 在 chinatongue 的大作中提到: 】
: 其中D5是12V稳压管;[upload=1][/upload]
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我知道,但是一般10mA以下直接用PCB的寄生电感就行
100mA以下,用贴片的也能搞定
除非你是上了A,那要绕圈圈了
【 在 tom6bj 的大作中提到: 】
: 开关方式的话得有电感元件,否则还是一样,自己想为什么
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: - 来自「最水木 for iPhone 8」
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