工业和信息化部9月9日发布《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》。在电子专用装备目录，集成电路生产设备出现了氟化氩（ArF）光刻机和氟化氪（KrF）光刻机，这两者均属于DUV光刻机（干式、非浸润）。其中，氟化氩（ArF）光刻机的光源193纳米，分辨率（Resolution）小于65nm，套刻（Overlay）小于8nm。

　　此次推广的氟化氩光刻机的套刻精度（Overlay Accuracy）小于8nm，套刻精度就是常说的“多重曝光能达到的最高精度”。按照套刻精度与量产工艺1:3的关系，这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片，大致相当于ASML的型号1460K光刻机。ASML于2015年出货的TWINSCAN XT 1460K的光刻分辨率为≤65nm，但是套刻精度更高（＜5nm）。

　　28纳米虽然不是特别先进技术，但依然意义重大，因为这是芯片中低端和中高端的分界线。目前除了最先进的CPU、GPU、AI芯片外，其余的工业级芯片大多都是28nm以上技术。中国的家电、汽车等各类工业品，可以突破西方国家设置的重重封锁，自主生产销售。

　　对于国产光刻机厂商来说，从干式DUV转向浸润式DUV这一过程还存在很多技术难题需要解决。要知道在2010年代前后，ASML就是依靠浸润式DUV光刻机（2006年就推出了首台量产的浸润式DUV光刻机XT 1700i），打败了当时的光刻机两大巨头佳能和尼康，确立了霸主地位。
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