目前基于igbt的光伏逆变器效率据说已经能够做到98%了，那些说光是sic mosfet比igbt高10个8个点效率的，我在想是98%×108%还是98%＋8%？还是汽车上用igbt在场景上远远达不到光伏逆变器的效率？
【 在 BreathLess 的大作中提到: 】
: 非理想器件存在导通压降和关断电流，所以才有损耗啊，这是基础知识。  
: 然而，碳化硅只是一种基材，不同厂家、不同器件类型的损耗不一样，还得考虑变流器拓扑，单次导通关断损耗你还得乘个开关频率，也就是说跟控制还有关系。这么多因素要考虑，怎么一提碳化硅就跟效率高扯到一起呢？  
: 就算硅基器件效率低，
: ..................

发自「今日水木 on V1829A」
--
FROM 171.218.235.*