- 主题:特斯拉用sic是因为技术水平低
【 在 goodpower 的大作中提到: 】
: 早期特斯拉功率逆变器密度搞不定，不得己冒险使用650v碳化硅器件，这个等级的碳化硅Mos对igbt没有优势，当时主流厂家对特斯拉不屑，所以只有ST这样的末流给特斯拉干，现在ST的技术水平还落后英飞凌两代。
: 650v这个等级最高技术水平是用GaN，下来是iGBT，现在发展到1200V系统，igbt就不太好了，这个时候就要用Sic Mos了。
: 目前从特性看，1200V这个等级的sic mos价格很快要低于igbt。Sic Mos比igbt有几个主要好处：
: ...................
以前的model X和S用的什么功率器件呢
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FROM 123.120.7.*
【 在 nuoya123 的大作中提到: 】
: IGBT是器件的一种形式，兄弟！现在有SiC IGBT。IGBT有传统Si做的，现在最新的比较火的是SiC IGBT
你到底懂不懂啊，别瞎误导别人
说的碳化硅都是指碳化硅MOSFET，IGBT都是硅基
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修改:litra FROM 123.126.82.*
FROM 123.120.7.*
【 在 djkstra 的大作中提到: 】
: IGBT都是硅基吧，碳基的那牛逼就大了
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是硅基，写错了
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FROM 123.126.82.*
【 在 nuoya123 的大作中提到: 】
: 你到底懂不懂啊！特么中车做的SIC IGBT当年我前女友也参与的好吧！别瞎bb
别张口喷粪，别人做过和你有啥关系，你不懂还是不懂
你解释别人说的错哪了，别和阿Q似的一说自己祖上阔过
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FROM 123.120.7.*
【 在 nuoya123 的大作中提到: 】
: 自己去好好科普下什么是IGBT吧！懒得跟你这文盲争！
不懂好好看看9楼从业人士的解释吧
别在这装蒜
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FROM 123.120.7.*