800V平台使用SiC MOSFET代替IGBT，开关损耗比IGBT小，在高转速下效率有优势。400V平台用SiC也会有类似效果。


【 在 fengwudian 的大作中提到: 】
: 是不是p=uip一样，u大就i小q=i2Ri小，能量损失就小 ...
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