搜了一下 还真是 不过好像也都可以用吧

igbt和碳化硅区别是什么？

IGBT和碳化硅都是半导体器件，它们之间的区别主要体现在以下几个方面。

一、材料：
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）和碳化硅器件所使用的半导体材料不同。IGBT主要使用的是硅材料，而碳化硅使用的则是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半导体材料，具有一定的电性能和可靠性，但是它的热稳定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的热稳定性非常好，具有更高的耐温性能，能够承受更高的工作温度和电压。

二、性能：
1. 频率响应：
IGBT工作频率一般在100kHz以下，而碳化硅器件的工作频率可以达到数百kHz。

2. 导通损耗：
因为碳化硅器件具有更高的电子迁移率和光敏性，所以其导通电阻更小，这意味着在同样的电压和电流下，碳化硅器件的导通损耗更小。

3. 关断速度：
碳化硅器件的开关速度更快，因为碳化硅材料具有更高的电子迁移率和周期性结构，导致电荷能够更快地在材料内部移动。这样，碳化硅器件的开关时间更短，能够更快地进行开关与电压控制。

4. 热稳定性：
碳化硅器件具有更好的热稳定性，能够更好地抵抗高温环境对器件的影响，并避免器件发生热失效。

三、应用：
IGBT和碳化硅器件在应用方面也有所不同。IGBT主要用于电力电子领域，如电机驱动、电力变换、UPS等。碳化硅器件则更适用于高级别的电力变换、新能源汽车、太阳能和风能等领域，由于其高频率性能，可以减小很多设备的大小和重量，降低能量损耗，提高能源利用效率。

总之，IGBT和碳化硅器件作为半导体设备，在电力电子领域有着各自的应用价值。选择哪一个半导体器件，取决于具体应用场景和使用要求。
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igbt肯定不如sic啊，问题是价格贵
国产马上就铺开了，很快会产能过剩的
【 在 YanXiao 的大作中提到: 】
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: 这一讨论小白都知道igbt不如碳化硅了  
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: 发自xsmth (iOS版)  
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发自「今日水木 on iPhone 12」
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不是口误吧
我看有PPT啊

【 在 stormywater 的大作中提到: 】
: 间接得益于智己CEO口误。
- 来自 水木社区APP v3.5.6
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SIC失效模型还没整明白，IGBT可靠性可能要好些，不过国内车厂的要求也就那样了
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不用当心，国内主打的就是产能过剩

目前sic已经没有难度，8英寸sic晶圆衬底已经做到了世界领先，好几家公司已经量产，马上就是低科技白菜价

看看上市公司公开的说法

3、请问公司半导体设备相关业务进展情况如何？
答：目前公司已基本实现8-12英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售，6英寸碳化硅外延设备实现批量销售且订单量快速增长，成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。同时公司基于产业链延伸，开发出了应用于8-12英寸晶圆及封装端的减薄设备、外延设备、LPCVD设备、ALD设备等。
4、公司碳化硅相关业务的布局
答：公司自2017年开始碳化硅产业布局，聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。
公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，量产晶片的核心位错达到行业领先水平，2023年11月公司正式启动了“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片”项目，目前已实现批量生产与销售。此外，公司于2023年推出了6英寸双片式碳化硅外延设备、8英寸碳化硅外延设备，外延的厚度均匀性、掺杂均匀性达到行业领先水平。



【 在 spadger 的大作中提到: 】
: 目前可以确定的是SiC MOSFET比硅基的IGBT贵。  
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发自「今日水木 on iPhone 12」
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