这或许就是Model 3极速超200的原因。
【 在 zhangxy11 的大作中提到: 】
: IGBT和mosfet是功率器件的分类，igbt要比mosfet更适合与大功率应用，可以认为IGBT>MOSFET
: 但是器件的基底有Si、SiC、GaN，SiC这种宽禁带基底比Si基具有工作温度高、绝缘能力强等更优秀的性质，可以认为SiC>Si
: 但是受限于目前的材料工艺，只有Si才能做IGBT，SiC最多做个MOS、二极管这种。所以现在行业里面临SiC的MOSFET和Si的IGBT两种选择……板上就直接简称为SiC和IGBT了
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