IGBT和mosfet是功率器件的分类，igbt要比mosfet更适合与大功率应用，可以认为IGBT>MOSFET
但是器件的基底有Si、SiC、GaN，SiC这种宽禁带基底比Si基具有工作温度高、绝缘能力强等更优秀的性质，可以认为SiC>Si

但是受限于目前的材料工艺，只有Si才能做IGBT，SiC最多做个MOS、二极管这种。所以现在行业里面临SiC的MOSFET和Si的IGBT两种选择……板上就直接简称为SiC和IGBT了

以下是我瞎猜，因为我不做电机驱动……

对于电驱部分，在大电流上IGBT更占优势，高频以及耐高温特征上SiC占优势，表现为IGBT用的管子数量能少一点（大功率大扭矩电机用比较合适），SiC的散热需求会低一些（所以整体电控的体积可以小一些，而且瞬时峰值功率可以高一些），另外如果不配变速箱的话，sic的高频特征可以让电机的极限转速更快？

【 在 gen9 的大作中提到: 】
: 这东西到底什么功能，求科普下。
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: #发自zSMTH@TAS-AN00
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我知道是载波，不过我还以为最大设计转速高了之后，载波频率最好也能跟着提高，要不谐波控制不下来

所以sic的高频更没用啦？

【 在 spadger 的大作中提到: 】
: 高频和转速没关系，这个是载波频率。几k几十k。
: 和电机转速有关的是调制波，变频器400Hz对应电机转速就是个天文数字了。
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我感觉这是个电流标称的问题……

电流规格本身就是额定电流下功率和散热平衡的一个概念，所以其实是sic mos故意并联足够多的芯片来达到同规格IGBT类似的导通压降。这样最大电流的导通压降不比IGBT高，再加上mos的特性，那自然是在全电流范围内压降更低。

我一直感觉好多人对比相同规格的器件本身就是不公平的，应该对比相同芯片面积或者相同成本的sic mos和igbt，这样结论估计就会有所区别？

【 在 chenche8 的大作中提到: 】
: 这个说法比较偏理论，理论上相同的材料，IGBT能实现更小的通态电阻（电导调制效应嘛）。但是不同材料没有直接可比性。
: 目前1200V车规级SiC MOSFET，相比同电流规格的Si IGBT，在全电流范围内，SiC MOSFET内阻都是优于Si IGBT的。
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