非理想器件存在导通压降和关断电流，所以才有损耗啊，这是基础知识。
然而，碳化硅只是一种基材，不同厂家、不同器件类型的损耗不一样，还得考虑变流器拓扑，单次导通关断损耗你还得乘个开关频率，也就是说跟控制还有关系。这么多因素要考虑，怎么一提碳化硅就跟效率高扯到一起呢？
就算硅基器件效率低，变流器层面效率有多低？碳化硅又能高到哪里？
【 在 kettle 的大作中提到: 】
: 碳化硅和硅基半导体的区别，功率器件导通压降、关断电流和损耗的关系，网上很多资料去了解一下吧
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