哦
【 在 goodpower 的大作中提到: 】
: 早期特斯拉功率逆变器密度搞不定，不得己冒险使用650v碳化硅器件，这个等级的碳化硅Mos对igbt没有优势，当时主流厂家对特斯拉不屑，所以只有ST这样的末流给特斯拉干，现在ST的技术水平还落后英飞凌两代。
: 650v这个等级最高技术水平是用GaN，下来是iGBT，现在发展到1200V系统，igbt就不太好了，这个时候就要用Sic Mos了。
: 目前从特性看，1200V这个等级的sic mos价格很快要低于igbt。Sic Mos比igbt有几个主要好处：
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