800V平台不仅是充电快，能耗效率高，也就是电耗会低一点。碳化硅的应用中科院物理所陈小龙老师做出了非常大的贡献，他最早开公司推广碳化硅的应用，我在物理所读博士的时候跟他合作过，十几年前的事了。说句题外话，碳化硅要是应用做的好做的广，他过两年会成为工程院院士……

以下摘自知乎：
相比于在400V平台中用到的硅基IGBT，在800V平台中普遍应用的碳化硅基 MOSFET，可以使整体系统效率提高8%，而且尺寸和重量也大幅缩小，相同规格的后者尺寸仅为前者的1/10。
而且，使用了碳化硅的功率元器件在各项关键的性能指标上，比起传统的硅基材料也会更加出色。举个例子，碳化硅的大量应用有助于提升电驱系统效率，能够令车辆跑的更快更远；在车端平台上，碳化硅还能带来更大的性能冗余度上的提升......

只要我们把格局打开，就会发现国际上的标准化方向都在朝着高电压靠拢：不论是中日统一接口标准的下一代方案ChaoJi，最大功率900kW（1500V，600A）；还是欧美最终走向统一的CCS方案，最大功率460kW（920V，500A），均明确指向了高电压平台。


【 在 lezhong 的大作中提到: 】
: 我理解错误吗，小鹏800v，销售解释说可理解为快充，充电10分钟可跑300公里。智己21万的确实是400v，和销售确认了。。。
--
修改:nimoo FROM 42.245.221.*
FROM 42.245.221.*