sic目前做不成igbt，只能做mos，sic的mos工作温度高能减小散热体积，然后单次开关损耗低可以提高频率，但是并不能减少内阻，或者只是说比Si的mos内阻小，但是肯定比不上Si的IGBT

作为电力电子相关的人，我一直觉得特斯拉带头搞的sic电机驱动有点噱头的成分，纯看效率并不能说用sic mos就一定比igbt强。真要去论证到底用什么好的话，完全可以搞出两份结论对立的报告。因为选了什么器件肯定就按这个器件合适的工况来进行集成设计，用sic肯定就要上高频，器件贵一些，散热器和滤波器就可以差一点，用IGBT就反过来。

唯一确定的是用了sic之后电驱体积肯定要小很多，但是一辆车上真的缺电驱这点空间么…

【 在 googlestyle 的大作中提到: 】
: https://weibointl.api.weibo.cn/share/126847862.html?weibo_id=4476530887042757
: 国产碳SiC电机控制模块
: 加速3.9s
: ...................
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修改:zhangxy11 FROM 1.202.63.*
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