SiC MOSFET性能上肯定是优于Si IGBT的，主要是高压器件性能更好，低压器件优势不明显。电气性能基本可以说全面优于Si IGBT。是下一代功率半导体。
但是，在当前的450V左右的电池电压系统中，一般采用750V耐压的器件，这个电压等级SiC MOSFET，和Si IGBT性能差异不大，很小。
SiC商用目前的问题主要有两个吧，
一个是价格高，很高，主要还是6英寸工艺，预计会在2025年能达到更优的性价比，并实现更大规模的应用。目前大多数车企都在会在SiC上投入研发。
另外一个是可能性封装可能有问题，SiC的杨氏模量更大，传统封装工艺下预期寿命不高，这个问题其实也不大，有很多办法解决。
特斯拉的谣传很大可能是真的，降成本，基本不怎么影响性能。这个消息来源于供应链。
特斯拉和汉EV用SiC噱头的意义更大。性能提升很小。未来800V高压采用1200V模块用SiC的性能会更有实用意义。
汉EV的策略其实很好，毕竟后驱实际使用应力低，避免寿命问题。同时更早的积累SiC实际应用的经验。还能制造噱头。
特斯拉的不了解具体配置。
【 在 LiYingReBa 的大作中提到: 】
: 除了汉和model3
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