硅的阈值是0.7V，超过这个电压才能导通。就是说，硅器件导通态会吃掉0.7V电压。锗是0.15V。

【 在 toutouqi 的大作中提到: 】
: 要是能设计出超低内阻的可控硅开关就好了。每个电池单体都可以单独控制，通过编程实现动态串并联，这样可以保证电池寿命最优。
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修改:ylh1969 FROM 119.190.149.*
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