【 在 tsa300 的大作中提到: 】
: nand flash是靠浮动栅极的氧化层锁住电子来保持数据的，电子本来就会慢慢漏掉，漏到电平1判断成0数据就没了。
: 十几年前90nm SLC 可以保持数据10年，45mn MLC 可以保持数据1年，随着制程越来越细、每单元表示的位数越来越多，保持数据的能力也指数级缩短，十几nm QLC 能保持个把月就不错了。
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看资料， 是电子保持能力和栅极宽度有关，不过， 到了3d nand以后， 不在通过缩短平面栅极宽度来获得更高集成度， 应用3d堆叠技术的新固态， 实际比以前2d的nand固态， 普遍栅极宽度还大， 保持能力和可擦写稳定性都有了不小提升， 而不是更差。
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【 在 smthhz 的大作中提到: 】
: 现在所有便宜货都是黑白片吧

最近几天试用新固态， 三五百的高速固态，
进步都有点超预期了， 无论速度还是温度。
我还是认为， 这就是科技进步的结果，232层堆叠，
不是盖的，立体上增加空间，不用压榨平面栅极面积，
散热和稳定性和容量都大大改观，这就是物美价廉的样子。
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