- 主题:固态放到笔记本电脑，断电几个月不用
nand flash 数据蒸发，没得救
【 在 ZFS 的大作中提到: 】
: 现在启动后说系统有问题，但是实际上修复不了。
: 重新安装系统，找不到硬盘。
: SATA的固态，还能挽救一下吗？
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FROM 39.156.11.*
nand flash是靠浮动栅极的氧化层锁住电子来保持数据的，电子本来就会慢慢漏掉，漏到电平1判断成0数据就没了。
十几年前90nm SLC 可以保持数据10年，45mn MLC 可以保持数据1年，随着制程越来越细、每单元表示的位数越来越多，保持数据的能力也指数级缩短，十几nm QLC 能保持个把月就不错了。
【 在 heyuanlie 的大作中提到: 】
: 求教啥原理？
: 为啥会蒸发？
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FROM 39.156.11.*
问题是你查不出来哪些蒸发了。
除非每个文件都有额外的checksum，或者文件系统是zfs那样内置checksum
如果是 ntfs ， 可以打开 encryption 功能，这个也是内置额外checksum的，ntfs加密后的文件如果数据蒸发，任何一个bit走样都会导致加密后的文件向外复制失败。
大部分情况数据蒸发导致的都是文件静默损坏，无从知晓。
【 在 toutouqi 的大作中提到: 】
: 不是吧，我20nm的硬盘数据放两年多了，回去看看还在不。
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FROM 39.156.11.*
制程更细了，栅极当然要受影响，否则制程进步就没意义了。
而且每单元位数更多了，以前SLC一个单元只表示0和1两位，只要不漏掉一半的电子，数据就没事，MLC要表示00到11共4位，TLC要表示8位，电平要拆成8份来判断，漏掉1/8的电子，存的数据就玩儿完了，后面QLC 16位， PLC 32位，余类推
所以保持数据能力是直线下降的
【 在 poggy 的大作中提到: 】
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: 看资料， 是电子保持能力和栅极宽度有关，不过， 到了3d nand以后， 不在通过缩短平面栅极宽度来获得更高集成度， 应用3d堆叠技术的新固态， 实际比以前2d的nand固态， 普遍栅极宽度还大， 保持能力和可擦写稳定性都有了不小提升， 而不是更差。
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