所以下载NAND闪存不追求制程了，开始盖大楼，发展3D NAND


【 在 tsa300 的大作中提到: 】
: nand flash是靠浮动栅极的氧化层锁住电子来保持数据的，电子本来就会慢慢漏掉，漏到电平1判断成0数据就没了。
: 十几年前90nm SLC 可以保持数据10年，45mn MLC 可以保持数据1年，随着制程越来越细、每单元表示的位数越来越多，保持数据的能力也指数级缩短，十几nm QLC 能保持个把月就不错了。
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