- 主题:Floating Gate与eFlash这两种工艺
良率，性能，有哪些差异呢？谢谢
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FROM 223.104.211.*
我想问浮栅工艺与eFlash工艺的差别，如良率，
一般Fabless映射到SoC制造时是浮栅工艺，
现在看到eFlash工艺出来，
eFlash从字面上看不是做flash的么？
它也有能力完成SoC（涵盖逻辑和片上存储）制造？
如果的确可以，它的良率，功耗方面如何？
我最近查阅中芯国际的制程，
发现一些资料，从下文看，似乎是涵盖了片上逻辑和存储，
若有不对，请指教！
“
based on SMIC's 55nm eFlash process, ACTT successfully launched a low-power IoT platform that provides a power saving as well as cost-effective solution to global customers.
”
【 在 Suporbb 的大作中提到: 】
: 你到底在问什么？好歹先做些功课再来问
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FROM 117.136.8.*
引文中所说的“Charge-Trap eFLASH”技术，
与floating gate工艺不一样。
这个Charge-Trap eFlash技术的良率和功耗，
相对于传统的floating gate工艺如何呢？
“
从嵌入式存储的原理上看，现在主流的工艺是Floating Gate 。这种传统的硅工艺因为应用历史比较长，且不涉及到材料的改变，因此大家对其都比较了解。为此这些年来，它一直都是嵌入式存储厂商的最爱。但随着大家对功耗、性能、成本和可靠性要求的渐增，这种相对传统的工艺有其局限性。为此业界探索了Charge-Trap eFLASH这种特殊工艺产品，华力的SONOS嵌入式闪存技术就是当中的一个先行者。
“
【 在 Suporbb 的大作中提到: 】
: 你到底在问什么？好歹先做些功课再来问
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