- 主题:soc工作时间久了,耗电量会增加吗?
书上好像没有写过这方面的问题,有懂的吗?
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FROM 117.136.38.*
车开时间长了会更费油,这个说明书上也不会写
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FROM 114.241.9.209
老化后,漏电会变小,待机功耗应该降低,但是器件变得更慢,翻转时候的穿通电流时间更长,工作功耗增加
【 在 aitech 的大作中提到: 】:
书上好像没有写过这方面的问题,有懂的吗?
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FROM 117.136.62.*
这个是什么原理?
按我的理解应该是有部分“幸运”电子进入场氧,导致场氧变薄,vt变低,更加耗电才对。
【 在 lovekeduo () 的大作中提到: 】
: 老化后,漏电会变小,待机功耗应该降低,但是器件变得更慢,翻转时候的穿通电流时间更长,工作功耗增加
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: 【 在 aitech 的大作中提到: 】:
: 书上好像没有写过这方面的问题,有懂的吗?
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FROM 183.48.244.*
具体器件原理我研究的不是特别清楚,但是BTI和HCI老化都是使vth增加,idsat降低
【 在 erfd 的大作中提到: 】:
这个是什么原理?
按我的理解应该是有部分“幸运”电子进入场氧,导致场氧变薄,vt变低,更加耗电才对。
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FROM 183.222.197.*
我想起这两个效应了。你说的应该是对的。最近memory做多了产生了幻觉
【 在 lovekeduo () 的大作中提到: 】
: 具体器件原理我研究的不是特别清楚,但是BTI和HCI老化都是使vth增加,idsat降低
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: 【 在 erfd 的大作中提到: 】:
: 这个是什么原理?
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修改:erfd FROM 183.48.244.*
FROM 183.48.244.*
如果这部分幸运的电子进入到pmos的栅氧中呢?是不是会升高阈值
【 在 erfd 的大作中提到: 】
: 这个是什么原理?
: 按我的理解应该是有部分“幸运”电子进入场氧,导致场氧变薄,vt变低,更加耗电才对。
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--来自微水木3.5.1
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FROM 112.65.61.*
1. 分析一下哪些参数决定功耗,vth, Idsat, mobility ......
2. 找foundry 要这些参数的life time 数据
3. 然后估算一下
【 在 aitech 的大作中提到: 】
: 书上好像没有写过这方面的问题,有懂的吗?
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修改:aneverland FROM 73.71.67.*
FROM 73.71.67.*
foundary给出的aging结果都是vth增加
【 在 aitech 的大作中提到: 】
: 书上好像没有写过这方面的问题,有懂的吗?
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: FROM 117.136.38.*
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FROM 112.3.248.*