790mV差不多是比一个MOS的GS导通电压高一些



【 在 long2004 的大作中提到: 】
: 我是个应用芯片人员，对芯片内部不了解，我们使用arm CA73 IP，里面有 6T cell，就是标准的SRAM结构；发现：低温下容易出问题。Arm的原因是alpha ratio =Vpu/Vpd值不合适；也就是pMOS需要低一些，而Pass gate（PG）电压高，才能成功写入1和0 ；也就是WL-BL diff level is not reaching 790mV；
: 我的疑问：WL-BL压差790mV是怎么个原理？
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